2010 Fiscal Year Annual Research Report
量子ビーム複合利用によるナノ空間反応および反応場の研究
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22246128
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (20251374)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
楊 金峰 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (90362631)
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| Keywords | 放射線、X線、粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理 |
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| Research Abstract |
半導体量産ラインでは、集束性の高い高品質のエネルギーである量子ビームと低質・安価な熱エネルギーを組み合わせることにより、高解像度かつ高感度な加工が実現されてきた。しかし、次世代の16nm以下の加工では、通常の手法により高解像かつ高感度加工は困難であり、反応場の制御が不可欠になると考えられる。本研究では電子線、レーザー、極端紫外光(EUV)、X線等の量子ビームを加工手段かつ分析手段として最大限活用することにより、量子ビームをトリガーとして開始され、16nm以下の領域において完結させる必要がある化学反応および反応場の詳細を解明することを目的とする。
初年度は、1.ポリスチレンの固体サンプルに酸発生剤を分散し、フェムト秒パルスラジオリシスにより短寿命中間活性種の時間プロファイルを得た。2.EUVFELを光源とした過渡分光システムを構築し、高分子固体薄膜中でのEUV誘起反応の測定を行い、時間プロファイルを得た。さらに、酸発生剤を含んだポリ(4-ヒドロキシスチレン)薄膜にEUV光照射用い、生成物分析を行った。3.Spring-8を利用したX線反射率測定により加熱前後で、レジスト薄膜の深さ方向密度分布がどのように変わるかを測定した。脱保護反応により生成する低分子量成分の分子は反応場に変化を与え、酸拡散に影響を与えると考えられるが、密度分布の変化を測定することにより、脱保護反応が反応場に与える影響が明らかになると期待される。また、4.EUVによる加工実験を行いシミュレーションとの比較を行った。さらに、5.反応場を考慮したコードの開発に着手した。
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