2012 Fiscal Year Annual Research Report
量子ビーム複合利用によるナノ空間反応および反応場の研究
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22246128
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20251374)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
楊 金峰 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (90362631)
小林 一雄 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (30116032)
山本 洋揮 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (00516958)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 放射線、X線、粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理 |
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| Research Abstract |
半導体量産ラインでは、集束性の高い高品質のエネルギーである量子ビームと低質・安価な熱エネルギーを組み合わせることにより、高解像度かつ高感度な加工が実現されてきた。しかし、次世代の16nm以下の加工では、通常の手法により高解像かつ高感度加工は困難であり、反応場の制御が不可欠になると考えられる。本研究では電子線、レーザー、極端紫外光（EUV）、X線等の量子ビームを加工手段かつ分析手段として最大限活用することにより、量子ビームをトリガーとして開始され、16nm以下の領域において完結させる必要がある化学反応および反応場の詳細を解明することを目的とする。
平成24 年度は、レジスト中での化学反応および反応場の詳細を解明することを目的に、レジストモデル化合物の電子線リソグラフィ加工実験、電子線パルスラジオリシス、プラズマEUV光源を用いたEUV露光による生成物分析、EUVFELを光源としたEUV誘起反応の測定を実施した。得られた知見をもとに、モンテカルロシミュレーションを行いレジストパターンの表面形状揺らぎと化学反応の揺らぎの関係を明らかにするとともに、表面形状揺らぎとレジスト高分子の分子量依存性、保護率依存性等を明らかにした。さらに、次世代高吸収レジストおよび13.5nmの次の世代のリソグラフィとして注目されている6.7nmEUVリソグラフィにおけるレジスト解像度、感度、表面形状揺らぎの関係をシミュレーションにより明らかにし、次世代レジスト設計指針を得た。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] Effect of Ultrahigh-Density Ionization of Resist Films on Sensitivity Using Extreme-Ultraviolet Free-Electron Laser2012
Author(s)
K. Okamoto, T. Kozawa, K. Oikawa, T. Hatsui, M. Nagasono, T. Kameshima, T. Togashi, K. Tono, M. Yabashi, H. Kimura, Y. Senba, H. Ohashi, R. Fujiyoshi, and T. Sumiyoshi
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Journal Title
Appl. Phys. Express
Volume: 5巻
Pages: 096701
DOI
Peer Reviewed
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