2012 Fiscal Year Annual Research Report
軟Ｘ線を用いた低次元強相関系における量子ドメインの直接生成
| Project/Area Number |
22340086
|
|---|
| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
|---|
Principal Investigator |
久保田 正人 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究副主幹 (10370074)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2014-03-31
|
| Keywords | ホッピング伝導 |
|---|
| Research Abstract |
回路動作に必要な電力を抑えたアルミナ材料のメモリー動作のメカニズムを理解するために、放射光実験における知見を元にこのデバイスの電子状態について研究を行った。酸素サイトの電子状態を捉えるためのXAFS測定を行った。酸素欠損場所を導入した場合の電子構造と、電子が増減した場合の電子構造の変化を元に予想される電子状態密度分布の特徴的なギャップ内の構造が実現していることを示唆する実験結果を得た。
酸素欠損場所にキャリアが誘起され、電場印加により、伝導帯が形成されることにより、メモリー動作するというモデルが妥当であることを意味している。特に、空隙を伴う陽極酸化膜の特異なドメイン構造がメモリー機能を生み出す一つの要因であることが示唆された。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
東日本大震災の発生により、研究を遂行する際に用いる実験装置の一部や関連部品に対して、改良を含めた復旧・復興作業を行う必要があるため。
|
| Strategy for Future Research Activity |
当初計画していた以外の測定手法についても、物性を捉えるため有用な観測手段が無いかの検討を随時行いつつ、研究を遂行する。
|
