2012 Fiscal Year Annual Research Report
動的共有結合化学システムによる環状化合物の合成とそれらのレジスト材料への応用
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22350088
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| Research Institution | Kansai University |
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Principal Investigator |
工藤 宏人 関西大学, 化学生命工学部, 准教授 (30343635)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | レジスト / 極端紫外線 / 環状オリゴマー / ノーリア / 化学増幅型レジスト / 分子レジスト |
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| Research Abstract |
アダマンチルエステル（AD）残基を有する、環状オリゴマー誘導体類を合成し、それらを極端紫外線（EUVL）露光による高解像性レジスト材料への応用について検討した。前年度までに20nm以下の高解像性レジスト特性について明らかにすることに成功し、今年度は、さらに10nm以下の高解像性能を見出すことを目的として研究を行った。
AD残基を有するPillar[5]arene誘導体類（Pillar[5]arene-AD）、ノーリア誘導体類（noria-AD)、およびβ-シクロデキストリン誘導体類(CD-AD)を合成し、それらのEUVL露光特性として、レジストのぬれ性（膜減り）およびレジスト感度の評価を行った。ぬれ性の評価として、AD残基の様々な導入率の各種環状オリゴマー類について評価、検討した結果、AD残基の導入率が高いほど、膜減りが大きいことが分かり、ぬれ性は良くないことが判明した。その中で、AD残基の導入率12％のNoria-OEt-Ad(12)では膜減りが全く確認されないことが判明した。このことは、シリコンウエハー基板との密着性能が、保護基の導入率により異なることによる。
次に、膜減りが確認されなかったNoria-OEt-Ad(12)の感度測定、パターニング特性について検討を行った。その結果、感度測定ではNoria-OEt-Ad(12)が7mJ/cm2の感度を要していることが判明した。パターニング評価では、レジスト：光酸発生剤(PAG)：クエンチャー＝100：20：1.25(wt%)の比率で調整したレジスト薄膜を作成し、EUVL露光によりレジストパターン特性について検討した。その結果、解像度22.5nmのパターンが得られることが分かった。PAGとクエンチャーの含有比率や保護基の種類、露光条件などをさらに検討することで、更なる微細パターンの形成が可能であることが判明した。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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