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2013 Fiscal Year Annual Research Report

結晶表面の原子ステップの位置・構造制御と原子・分子修飾

Research Project

Project/Area Number 22360015
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

山部 紀久夫  筑波大学, 数理物質系, 教授 (10272171)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 蓮沼 隆  筑波大学, 数理物質系, 講師 (90372341)
Project Period (FY) 2010-04-01 – 2015-03-31
KeywordsSi / 表面 / 酸化膜 / 原子ステップ / 有機分子 / センサー
Research Abstract

原子的平坦な、水素終端されたSi(111)表面における自然酸化膜成長形態を、AFM、FTIRを用いて評価した。酸化前のSi表面テラスは原子的に平坦であることが確認されている。自然酸化が始まると、酸化に伴う堆積膨張により酸化箇所が確認できる。評価の結果、以下のことが明らかになった。自然酸化はテラス上における核形成から始まり、2次元島成長を基本とするlayer-by-layer成長をする。核形成頻度はおおむね下流のステップ端近傍で高い。また、AFM画像の詳細な評価から、Siバックボンドへの酸素の挿入という観点において、2段階の酸化過程を踏むことがあきらかになった。このことに関して、酸素挿入位置を説明するモデルを提唱した。さらに、FTIRによる評価から、大気中湿度が上昇するにつれて自然酸化速度が大きくなることが明らかとなった。溶存酸素を極力排除した純水中では酸化が進行しないことから、自然酸化には酸素と水の両方が必要であることが示唆される。
Si(100)基板上に形成した熱酸化膜への有機分子吸着を電気的にとらえる試みを行った。扱った有機分子はbiotinおよびavidinである。まず酸化膜表面にbiotin分子を固着させた。次に電気化学セル内にてbiotin/SiO2のみを生理食塩水に浸漬する。Si基板裏面にAl電極、生理食塩水なにPt対向電極用意し、系全体の容量を測定する。その後、生理食塩水にavidinを添加する。Avidinはbiotinと非常に強い親和性を示すため、時間経過とともに酸化膜表面に固着したbiotinと結合していく。容量観察の結果、avdin添加のおよそ30分後から容量の変化が現れ、avidinの吸着を反映しているものと考えられる。MOSキャパシタの、有機分子センサーとしての応用が期待される。今後は対象分子の濃度依存性を明らかにし、感度を向上させること、対象範囲の拡張、多様化などが課題である。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

Siの自然酸化膜の成長の原子論的観察を行い、酸化過程に関するモデルを提唱することができた。また、自然酸化の雰囲気依存性を調査し、自然酸化が酸素と水の双方が関与する複雑な過程を経ていることを示すことができた。また、有機分子を含む溶液に暴露・吸着することに伴う容量特性の変化を検出することに成功した。

Strategy for Future Research Activity

有機分子吸着のSiステップ選択性を調査する。
さらに有機分子センシング感度を高めるための試行を進める。例えば酸化前のSi表面ステップ形状、密度と、biotinなどのリンカー分子の固着効率を調査する。

  • Research Products

    (19 results)

All 2013 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (16 results)

  • [Journal Article] Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO2 Film on Atomically Flat Si Surface2013

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma, Yusuke Hayashi, Masahiro Ota, and Kikuo Yamabe
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 031301

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.031301

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Nanoindentation Damage near Silicon Surface Embossed by Immersion in Ultralow-Dissolved-OxygenWater2013

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma, Shun Kudo, Katsuya Kamata, and Kikuo Yamabe
    • Journal Title

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      Volume: 2 Pages: 225-229

    • DOI

      10.1149/2.014305jss

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Evaluation of Kink Generation Rate and Step Flow Velocity on Si(111) during Wet Etching2013

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 11027

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.110127

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Nanoindentation and Step Control on Si(111) Surfaces

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
    • Organizer
      12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(茨城
  • [Presentation] Morphological Analysis on Native Oxidation of Si(111) Surface

    • Author(s)
      Syuhei Doi, Ryu Hasunuma, K. Yamabe
    • Organizer
      12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(茨城)
  • [Presentation] Microscopic Thickness Uniformity and Dielectric Breakdown Lifetime of Ultrathin SiO2 Films Thermally Grown on Si(111)

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
    • Organizer
      12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • Place of Presentation
      つくば国際会議場(茨城)
  • [Presentation] Interrelationship between Leakage Current and Grain Boundaries of Polycrystalline HfO2 Films Directly-Bonded to Si Substrate

    • Author(s)
      Hisanori Momma, Yusuke Tomura, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe
    • Organizer
      2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
    • Place of Presentation
      筑波大学(東京キャンパス)
  • [Presentation] Si Emission to Atmosphere during Thermal Oxidation of Si Substrates

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma and Kikuo Yamabe
    • Organizer
      2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES
    • Place of Presentation
      筑波大学(東京キャンパス)
  • [Presentation] NF3 Added Oxidation of 4H-SiC(0001) and Suppression of Interface Degradation

    • Author(s)
      Ryu Hasunuma, Masahito Nagoshi, and Kikuo Yamabe
    • Organizer
      2013 The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • Place of Presentation
      フェニックスシーガイアリゾート(宮崎)
  • [Presentation] HfO2多結晶厚膜の絶縁特性

    • Author(s)
      林 真理子, 門馬 久典, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫
    • Organizer
      2013年秋季 第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都)
  • [Presentation] 微小電極面積を有する極薄多結晶HfO2膜の電気的特性

    • Author(s)
      戸村 有佑、 蓮沼 隆、 山部 紀久夫, 右田 真司
    • Organizer
      2013年秋季 第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都)
  • [Presentation] 酸化・還元アニールによる多結晶HfO2膜の相変態と電気的特性変化

    • Author(s)
      門馬 久典, 蓮沼 隆,山部 紀久夫
    • Organizer
      2013年秋季 第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都)
  • [Presentation] ストレスによりSiO2膜中に生じた欠陥の回復

    • Author(s)
      滝ヶ浦 佑介,蓮沼 隆, 山部 紀久夫
    • Organizer
      2013年秋季 第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都)
  • [Presentation] シリコン表面の酸化膜密度とエッチングレートの相関性評価

    • Author(s)
      土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
    • Organizer
      2013年秋季 第74回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学(京都)
  • [Presentation] NF3添加酸化におけるSiO2/SiC(0001)界面の安定化

    • Author(s)
      名越 政仁、蓮沼 隆、山部 紀久夫
    • Organizer
      第19回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • Place of Presentation
      ニューウェルシティー湯河原(静岡)
  • [Presentation] Ti被着により酸素引き抜きを行った多結晶HfO2膜の電気的特性

    • Author(s)
      門馬 久典,蓮沼 隆,山部 紀久夫
    • Organizer
      第19回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • Place of Presentation
      ニューウェルシティー湯河原(静岡)
  • [Presentation] 高温下ストレスによりSiO2膜中に生じた欠陥の回復

    • Author(s)
      滝ヶ浦 佑介,蓮沼 隆, 山部 紀久夫
    • Organizer
      第19回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • Place of Presentation
      ニューウェルシティー湯河原(静岡)
  • [Presentation] 極薄多結晶HfO2膜における結晶粒界と酸素空孔欠陥がリーク電流にもたらす影響

    • Author(s)
      戸村 有佑、 蓮沼 隆、 山部 紀久夫, 右田 真司
    • Organizer
      第19回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • Place of Presentation
      ニューウェルシティー湯河原(静岡)
  • [Presentation] シリコン酸化膜の密度分布が電気的特性に及ぼす影響

    • Author(s)
      土井修平、蓮沼隆、山部紀久夫
    • Organizer
      第19回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • Place of Presentation
      ニューウェルシティー湯河原(静岡)

URL: 

Published: 2015-05-28  

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