2011 Fiscal Year Annual Research Report
EUV干渉露光による20nm以下の極微細パタン形成
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22360146
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| Research Institution | University of Hyogo |
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Principal Investigator |
渡邊 健夫 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (70285336)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木下 博雄 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (50285334)
原田 哲男 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助教 (30451636)
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| Keywords | EUVリソグラフィ / 半導体 / 微細加工技術 / 干渉露光 / レジス |
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| Research Abstract |
線幅20nm以下のレジストパタン形成を目的にEUV干渉露光系露光系の開発を進めている。以下の項目について研究成果を報告する。
1.干渉露光用高精度回折格子製作
2光束干渉露光用透過型回折格子の製作では、SiO_2薄膜とTaN薄膜の2層構造膜にドライエッチング法を適用したSiO_2のハードマスクプロセスを導入し、線幅30nmラインアンドスペースパタンを有する透過型回折格子の製作に成功した。2光束干渉露光では形成できるレジストパタンの線幅は、透過型回折格子の半分の線幅であり、線幅15nmライン・アンド・スペースのレジストパタン形成を実現した。
2.干渉露光系の高度化
露光装置の透過型回折格子用真空ステージを改良し、剛性を高め振動除去を進め、10nm程度の振動を5nm程度に抑えることができた。その結果、上記した1の内容を含め、15nmのレジストパタン形成に成功した。
3.反応解析
レジストの反応解析を目的に、放射光を用いた各種分析技術のレジスト反応解析への応用の検討を進め、反応解析が有効に行えることを確認した。
4.低分子化学増幅系レジストの検討
低分子化学増幅系レジストの検討を進めるために、各種低分子系レジストのEUV光による露光評価を進め、15nmのパタン形成に見通しを得ることができた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
H23年度に干渉露光系のキーテクノロジーである30nmの線幅を有する透過型回折格子の製作に成功した。また、干渉露光系の振動の低減を図ることで、15nmのパタン形成を実現した。また、反応機構の解明の手法についてSRを用いた分析方法の有効性の検討を進めた。さらに、化学増幅系レジストで15nmのパタン形成に可能性について見通しを得ることができた。以上のように当初計画に従っており、「当初の計画以上に進展している」と判断した。
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| Strategy for Future Research Activity |
・電子線描画やドライエッチングのプロセス工程を見直し、線嬉11nmのパタン形成を目標に、22nmの線幅を有する透過回折格子の製作を進める。
・干渉露光系のさらなる低振動を実現し、線幅11nmのレジストパタン形成を進める。
・15nm以下の解像性能を有する低分子系レジストの可能性を探索する。
・H23年度で確立した反応解析法をレジストの反応解析に適応する。
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