2012 Fiscal Year Annual Research Report
ＥＵＶ干渉露光による２０ｎｍ以下の極微細パタン形成
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22360146
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| Research Institution | University of Hyogo |
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Principal Investigator |
渡邊 健夫 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (70285336)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
原田 哲男 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助教 (30451636)
木下 博雄 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (50285334)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 半導体微細加工 / 極端紫外線リソグラフィ / 干渉露光 / レジスト / 化学増幅系 / 感度 / line edge roughness |
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| Research Abstract |
EUV光による干渉露光系の開発を進めて来た。この干渉露光系では２窓付きの透過型回折格子を用いる。この透過型回折格子に垂直に照射されたEUV光は、１つの窓の透過型回折格子により、０次光、±１次光、．．というように高次の開発光が生成される。この内０次光を透過型回折格子上に成膜したフィルターにより完全にカットする。２窓の透過型回折格子を用いた場合には、１つ回折格子から回折された－１次光ともう一つの透過型回折格子から回折された１次回折光とが、交差する位置に透過型回折格子の半分の大きさを有する光強度の明暗の縞が生成され、透過型回折格子の半分の大きさのレジストパタンが形成される。例えば、H23年度で15nm以下の線幅を有する半導体レジストのパタン形成が達成できたが、このとき用いた透過型回折格子のパタンは30 nmのライン・アンド・スペース(L/S)であった。H24年度では、さらなる極微細パタン形成を目指して、透過型回折格子の製作を進めた。電子線の描画条件、レジストプロセス条件を見直し、25 nmL/Sの透過型回折格子パタンを有する２窓の透過型回折格子を製作し、12.5 nmのレジストパタンに見通しをえることができた。一方、極端紫外線リソグラフィ技術では、高感度かつ低LER(line edge roughness)のレジストの開発は要求されている。これまで、種々なレジストについて評価を進めてきたが、いずれも要求仕様を満足させるには至っていない。そこで、この課題を回折するために、EUV光を用いた反応解析を進めた。その結果、EUV光とレジストとの相互作用では、主にイオン化により、レジスト中の感光性材料である酸発生剤のカチオン部の光分解に加えて、新たに酸発生剤のアニオン部が分解することを発見するに至った。これにより、量子収率の向上することができ、高感度かつ低LERの見通しを得ることができた。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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