2010 Fiscal Year Annual Research Report
MEIS-TOF-ERDAを用いた次世代MOSプロセス極浅接合評価技術の開発
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22560295
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
阿保 智 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 助教 (60379310)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高井 幹夫 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 教授 (90142306)
若家 冨士男 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 准教授 (60240454)
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| Keywords | イオンプローブ / ERDA(弾性反跳粒子計測法) / TOF(飛行時間計測) / 低エネルギーイオン注入 / TEA(トロイダル静電アナライザ) / SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) |
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| Research Abstract |
平成22年度には丸最適な反跳角でのERDA(弾性反跳粒子計測法)シグナルの取得および、TOF(飛行時間)計測手法の確立を行った。また、平行して極浅不純物注入試料のSSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡)計測を行った。
1. TEA(トロイダル静電アナライザ)設置角度の最適化(反跳角の最適化)
100keVのアルゴンイオンを用いてシリコン中の極浅注入不純物の計測をめざしたが、アルゴンイオンによりスパッタされるシリコンイオンの収量が大きく、エネルギー及び飛行時間分離が困難となったため、プローブイオンを窒素イオンに変更しTEA設置角度の最適化を行った。散乱角を65度とした場合に、個々のイオンの飛行時間差が大きく、また、散乱時のエネルギー差も大きくなった。
2. TOF計測系の構築
本研究でのTOF計測には、パルサーを用いたビームチョッピング法を用いている。スタートシグナルにはパルサーからのトリガシグナルを、ストップシグナルにはTEAからの出力を用いた。散乱角65度とし、TEAでエネルギースキャンを行いながら、100keVの窒素イオンでTOF-ERDA計測を行ったところ、B^+,2keV,1.5×10^<16>/cm^2注入試料では、B^+,B^<2+>,Si^+のTOF-ERDAシグナルを得た。また、未注入Si基板試料のTOF-ERDA計測では、Si^+とH^+のTOF-ERDAシグナルを得た。以上により、TOF計測系の構築を完了した。
3. 極浅不純物注入試料のSSRM計測
MEIS-TOF-ERDA計測結果と比較のため、低エネルギーBおよびAs注入と短時間アニール処理を行った試料のSSRM計測を行った。
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