2012 Fiscal Year Annual Research Report
ＭＥＩＳ－ＴＯＦ－ＥＲＤＡを用いた次世代ＭＯＳプロセス極浅接合評価技術の開発
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22560295
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
阿保 智 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 助教 (60379310)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高井 幹夫 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 教授 (90142306)
若家 冨士男 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 准教授 (60240454)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 弾性反跳粒子検出法 / 中エネルギーイオンビーム / 軽元素分析 |
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| Research Abstract |
平成24年度には、これまでに開発を行ったMEIS-TOF-ERDA計測系の時間分解能の改善と低エネルギーボロン注入標準試料の評価を行った。また、これらの評価に平行し、ボロン注入標準試料の電気伝導特性評価を走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)で行った。
１，時間分解能改善 散乱粒子の角度分解を行う位置検出系と質量分離を行う飛行時間計測系の統合を行い、同期計測を行うことで時間分解能の改善を行った。計測結果より求めた時間分解能は50 - 100 nsであり、計測試料中のボロン、シリコン、酸素の質量分離に十分な時間分解能を達成した。
２，極浅ボロン注入試料評価 注入エネルギー 2 keV,ドーズ量 0.5e16, 1.0e16, 1.5e16 ions/cm2 の3種類の極浅ボロン注入試料のボロン深さ分布を開発を行ったMEIS-TOF-ERDA計測系で評価した。ドーズ量が1.0e16, 1.5e16 ions/cm2の試料では、高いドーズ量のため試料表面にボロンが偏析していることを明らかとした。また、次世代の半導体プロセスで用いられる程度のドーズ量の0.5e16 ions/cm2 の試料では、深さ分布がシミュレーション(Synopsys Sentaurus TCAD vG-2012.06)と良い一致を示した。これらの結果により、国際半導体技術ロードマップで必要とされている不純物深さ分解能を本研究で開発したMEIS-TOF-ERDA計測法により達成したことを示した。
３，極浅ボロン注入試料電気伝導特性評価 低エネルギーボロン注入と短時間アニール処理を行った試料のSSRM計測を行い、MEIS-TOF-ERDA計測結果の妥当性を検証した。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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