2012 Fiscal Year Annual Research Report
スピントランジスタ構造へのハーフメタルグラニュラーの適用の試み
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22560308
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| Research Institution | 大同大学 |
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Principal Investigator |
神保 睦子 大同大学, 工学部, 教授 (00115677)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | スピントランジスタ / グラニュラー膜 / ハーフメタル / トンネル伝導 / スピンエレクトロニクス |
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| Research Abstract |
スピン分極率が１００％と予測されるハーフメタルの第１候補としてCoFeAlSiホイスラー合金を，絶縁材料としてはAlOxを取り上げ，グラニュラー膜を作製し，そのTMR特性を評価してきた。その結果，室温で約１８％のグラニュラー膜としては最大のMR比を得ることができ，これはCoFeAlSiホイスラー合金の高いスピン分極率を反映しているためと考えられた。しかし，この結果を得るためには，特定のガラス基板を使わなければならないことが分かるまで多くの時間を費やした。１０％程度のMR比を示す試料は比較的再現よく作製することができるが，この程度のMR比では，試料が，CoFeAlSi合金のハーフメタル性を反映した結晶構造を示さなくても可能でことが分かった。
作製した試料のX線回折結果を詳細に調べたところ，１０％以上のMR比を得るためには，わずかではあるがハーフメタル性を特徴づける結晶構造をとる必要があることが明らかとなった。そこで，バッファー層として使用しているMgOの膜厚を変化させて，MR比の依存性やグラニュラー膜の構造を調べた。また，ガラス基板の表面ラフネスをAFMを用いて調べ，グラニュラー膜の構造との相関性を検討した。さらには，Si基板上にMgOやSiNなどをバッファー層として，膜厚を変化させてグラニュラー膜の構造の制御を試みた。しかし，現時点では１０％以上のMR比を示す試料の作製条件を明確にすることはできなかった。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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