2010 Fiscal Year Annual Research Report
ダマシン型ダブルゲート低温poly-Si TFTによるガラス上への高速回路の実現
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22560341
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| Research Institution | Tohoku Gakuin University |
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Principal Investigator |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| Keywords | 薄膜トランジスタ / TFT / 他結晶シリコン / poly-Si / ダブルゲート |
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| Research Abstract |
目的:電源電圧3.0(V)で動作するガラス上高速回路の実現に向けた低温多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の開発。
内容:平成22年度までに開発した自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのデバイス構造に改良を加え、Si層およびゲート酸化膜層の薄膜化を可能にするダマシン型自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTにより低電圧化を実現する。
研究成果:本デバイスの実現に不可欠な埋め込みボトムメタルゲートをCMP技術により形成し、引き続いて申請者が開発したCLC技術を利用して、埋め込みボトムメタルゲートの上層に大粒径ラテラルpoly-Si薄膜を成長した。3/4期においてデバイス作成に移行したが、平成23年3月11日に発生した東日本大震災によりロットを破損。最終的にデバイス性能の把握まで至っていないが、プロセス工程に大きな問題が無いことを確認した。
受賞:2010 International Display Workshops(Fukuoka)においてOutstanding Poster Paper Awardを受賞
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Research Products
(17 results)
