2012 Fiscal Year Annual Research Report
コプラナー型平面プラズマによる酸化物薄膜のダイレクトパターニング
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22560719
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
奥谷 昌之 静岡大学, 工学部, 准教授 (00293605)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
村上 健司 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (30182091)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Keywords | 沿面放電 / プラズマ / 製膜 / 酸化亜鉛 / 酸化スズ |
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| Research Abstract |
高電圧を印加した絶縁体表面に沿ってプラズマが発生する現象を沿面放電と呼ぶ。本研究グループでは沿面放電による酸化物薄膜の形成を試み、酸化亜鉛薄膜の単相化を報告している。さらに同法を酸化スズ薄膜形成へ応用してみたが、前駆体へプラズマのエネルギーが十分に伝わらず、酸化スズ相の検出には至らなかった。そこで、本研究では従来の雰囲気制御に加え、製膜時に磁場を印加することでプラズマの空間的な広がりもたせて製膜を試みた。
DBTDA(di-n-dibutyltin diacetate)2-ブタノール溶液をガラス基板上にスピンコート法で均一に塗布後、ガラス基板と電極間の距離を冶具で0.5 (mm)に固定し、電極の水平方向に0.3 Tの磁場を印加して前駆体表面に放電処理(13 kV, 6 kHz)を施し、酸化スズ薄膜の形成を試みた。
この結果、0.3Tの磁場を印加して大気中で放電処理した場合、正方晶酸化スズが検出された。これは磁場印加によるローレンツ力により、プラズマに空間的な広がりが発生し、電極からガラス基板へのエネルギーが十分に伝わったことで前駆体の分解が進み、酸化スズの結晶化が促進されたと考えられる。
さらに、雰囲気制御のために酸素と窒素の混合比を変化させたところ、特定の濃度において立方晶酸化スズが形成されることがわかり、沿面放電と雰囲気制御を組み合わせることにより、立方晶と正方晶を作り分けることが出来る可能性も示唆された。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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