2010 Fiscal Year Annual Research Report
光電子回折分光法による化合物半導体人工超格子の原子層分解電子状態解析
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22740200
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| Research Institution | Nara Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
松井 文彦 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (60324977)
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| Keywords | 光電子回折 / Auger電子回折 / 原子構造 / 局所電子状態 / 化合物半導体 / 放射光・軟X線 |
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| Research Abstract |
光電子回折分光法は、光電子やAuger電子の元素選択性と構造特有の回折模様によるサイト選択性を用いてサイト別の分光研究を行うというもので、原子構造とサイトごとの電子状態を非破壊的に解析できるところに特徴がある。本年度の研究成果は次の通り:1 SiC(0001)表面の複数種ある原子サイトからの光電子パターンを電子の平均自由行程を考慮することで数学的に分離する方法を考案、適応に成功。論文を発表した。2 SiC(0001)表面上のグラフェンの形成過程について光電子パターンを測定し研究。温度変化を詳細に調べ、1の原子層ごとの光電子パターン分離法を応用・発展することでグラフェン層やその下の界面層からの情報を分離、構造解析を行った。学会等にて発表した。3 InP(001)表面を化学的にS終端することで、容易に清浄面を得ることに成功、In3d及びP2p準位及び価電子帯からの光電子パターンを測定した。運動エネルギー500eV以上の領域では価電子帯の光電子パターンにも光電子回折の影響が現れるため、どの原子から光電子が放出されたかが特定できる。内殻の光電子パターンを線形結合し価電子帯の光電子パターンにフィットさせることで原子サイトごとの価電子帯電子状態密度を算出する手法を考案した。4光電子パターンの定量評価で重要なバックグラウンドについて詳細に研究。二次電子が再度結晶格子の原子に吸収されて現れる「ネガパターン」の観測と発生機構について解明した。投稿論文準備中。5 GaN薄膜成長基板として有力なZrB_2(0001)表面の光電子パターン測定に成功した。学会等にて発表した。
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