2010 Fiscal Year Annual Research Report
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22750117
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
久保 和也 北海道大学, 電子科学研究所, 助教 (90391937)
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| Keywords | 非平面型金属錯体 / 電気伝導度 / 磁比率 / π-d相互作用 / 磁気抵抗効果 / 分子性導体 / 分子磁性体 / 単分子磁石 |
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| Research Abstract |
本研究課題は、非平面型金属錯体を用いたd-π相互作用系の構築を目指すものである。当該年度はまず、四面体構造をとる可能性が高い、銅(II)、コバルト(II)、鉄(III)などの金属イオンと様々なジチオレン配位子を組み合わせた金属錯体の構築を試みた。上述の金属イオンとジチオレン配位子は非常に安定な錯体を形成する事がわかった。特にdmit(2-)配位子(dmit(2-)=2-thioxo-1,3-dithiole-4,5-dithiolate)は安定で収率もよく、本研究課題に好適な化合物である事がわかった。現在、電解結晶成長法、あるいは化学的酸化法を用いて当該錯体のラジカル化をを進め、d-π系の構築を試みているところである。また、別の系として、マンガン二核非平面型錯体からなる単分子磁石と伝導体の構成分子である平面型金属錯体である[Ni(dmit)2](-)を組み合わせたハイブリッド型金属錯体結晶による新規d-π系の構築を行ったところ、単分子磁石と伝導層が交互積層した新規結晶の開発にも成功した。この化合物は、単分子磁石的挙動を発現するともに、伝導層を組み込んだ事から従来の系にはない新しい伝導電子-局在スピン系の相互作用が期待できる。本研究課題は、予定通り進行しているといえる。来年度は、本年度に構築した化合物についての電子状態をより詳細に検討していく事を目標とし、新たな伝導電子-局在スピン系構築に対する設計指針に対する基礎的な知見を得る事を目指す。
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