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2012 Fiscal Year Annual Research Report

半導体物性物理に基づいた周波数バンド可変テラヘルツ電磁波発生素子構造設計原理構築

Research Project

Project/Area Number 22760010
Research InstitutionThe University of Shiga Prefecture

Principal Investigator

竹内 日出雄  滋賀県立大学, 工学部, 准教授 (50512779)

Project Period (FY) 2010-04-01 – 2013-03-31
Keywordsテラヘルツ電磁波 / 超高速現象 / コヒーレント縦光学フォノン
Research Abstract

平成24年度では,これまでに得た成果に対して,その背景にある基本的物理の解明とさらなるテラヘルツ(THz)電磁波特性制御に取り組んだ。アンドープGaAs/n-type GaAs構造(i-GaAs/n-GaAs構造)におけるコヒーレント縦光学フォノン(以下,略してLOフォノン)からの高強度THz電磁波発生に関しては,i-GaAs層内の内部電場に起因すると結論していた。しかしながら,内部電場による増強機構が未解明であった。これを解決するために,有効励起光強度という概念を導入して,THz電磁波の内部電場依存性を詳細に調べた。結果,LOフォノン・THz電磁波の振幅は,内部電場に比例することが判明した。これは,LOフォノン・THz電磁波の増強機構が内部電場によって線形的に増強された初期分極に起因することを示す。
上記LOフォノン・THz電磁波増強機構に着目して,(11n)面方位In0.1Al0.9As/GaAs歪多重量子井戸(MQWs)におけるLOフォノン・THz電磁波に関して調査した。上記歪MQWsは,内部電場の一種であるピエゾ電場を有する。従って,ピエゾ電場に起因する初期分極の増大によって,LOフォノン・THz電磁波増強が期待される。結果,THz電磁波がLOフォノン周波数に対応する単色性を有することを明らかにした。この電磁波強度は,従来の概念を覆すほど高強度なものである。このことは,例えばテラヘルツ電磁波通信に応用できる可能性があることを示す。
加えて前年度に得られたGaSb/GaAs構造におけるLOフォノン・THz電磁波に関して,その特性に関して探索した。その結果,GaSb LOフォノンがGaAs LOフォノンとは異なる緩和過程を有することを明らかにし,かつ緩和過程に対するモデルを提案した。
上記の成果が示すように,平成24年度では,THz電磁波の物理に関して徹底した解明がなされた。

Current Status of Research Progress
Reason

24年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (20 results)

All 2013 2012

All Journal Article (10 results) (of which Peer Reviewed: 10 results) Presentation (10 results)

  • [Journal Article] Terahertz radiation from the coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure2013

    • Author(s)
      Shuichi Tsuruta
    • Journal Title

      Journal of Physics: Conference Series

      Volume: 417 Pages: 012051 1-6

    • DOI

      doi:10.1088/1742-6596/417/1/012051

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer2013

    • Author(s)
      Hideo Takeuchi
    • Journal Title

      The European Physical Journal B

      Volume: 80 Pages: 86:50 1-5

    • DOI

      10.1140/epjb/e2012-30502-7

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhancement mechanism of terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures2013

    • Author(s)
      Shuichi Tsuruta
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 113 Pages: 143502 1-5

    • DOI

      http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4799060

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characteristics of TiO2 Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency N2 and He Plasmas2013

    • Author(s)
      Retsuo Kawakami
    • Journal Title

      Journal of Physics: Conference Series

      Volume: *** Pages: ***

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Intense monochromatic terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum wells2012

    • Author(s)
      H. Takeuchi, S.Asai, S. Tsuruta, and M,Nakayama
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 100 Pages: 242107 1-4

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.687

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method2012

    • Author(s)
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
    • Journal Title

      Physic Procedia

      Volume: 29 Pages: 30-35

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ultrafast optical response originating from carrier-transport processes in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures2012

    • Author(s)
      Takayuki Hasegawa
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 100 Pages: 211902 1-4

    • DOI

      10.1063/1.4720157

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer2012

    • Author(s)
      Hideo Takeuchi
    • Journal Title

      Physica Status Solidi C

      Volume: 9 Pages: 2610-2613

    • DOI

      10.1002/pssc.201200160

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Dynamical Characteristics of a Coherent Longitudinal Optical Phonon in a GaAs Buffer Layer Optically Covered with a GaSb Top Epitaxial Layer Investigated with Use of Terahertz Spectroscopy2012

    • Author(s)
      Hideo Takeuchi
    • Journal Title

      AIP conference proceedings

      Volume: 1506 Pages: 73-78

    • DOI

      http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4772529

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] First-sharp difraction peaks in amorphous GeTe and Ge2Sb2Te5 films prepared by vacuum-thermal deposition2012

    • Author(s)
      Toshihiro Nakaoka
    • Journal Title

      AIP Advances

      Volume: 2 Pages: 042189 1-6

    • DOI

      10.1063/1.4773329

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Enhancement Mechanism of Terahertz Radiation from Coherent Longitudinal Optical Phonons in i-GaAs/n-GaAs Epitaxial Structures2013

    • Author(s)
      Shuichi Tsuruta
    • Organizer
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • Place of Presentation
      Kobe Convention Center, Kobe, Japan
    • Year and Date
      20130519-20130523
  • [Presentation] アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II2013

    • Author(s)
      長谷川尊之
    • Organizer
      日本物理学会第68回年次大会
    • Place of Presentation
      広島大学
    • Year and Date
      20130326-20130329
  • [Presentation] (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸における コヒーレントLOフォノンからの高強度THz電磁波発生II2013

    • Author(s)
      浅井聡太
    • Organizer
      日本物理学会第68回年次大会
    • Place of Presentation
      広島大学
    • Year and Date
      20130326-20130329
  • [Presentation] GaSb/GaAsエピタキシャル構造において同時観測されたGaAsとGaSbのコヒーレントLOフォノンダイナミクスのテラヘルツ分光2012

    • Author(s)
      竹内日出雄
    • Organizer
      第23回光物性研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大学・学術総合センター
    • Year and Date
      20121207-20121208
  • [Presentation] (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の励起強度依存性2012

    • Author(s)
      浅井聡太
    • Organizer
      第23回光物性研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大学・学術総合センター
    • Year and Date
      20121207-20121208
  • [Presentation] アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造におけるキャリア輸送を利用した超高速光応答制御2012

    • Author(s)
      長谷川尊之
    • Organizer
      第23回光物性研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大学・学術総合センター
    • Year and Date
      20121207-20121208
  • [Presentation] GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光2012

    • Author(s)
      竹内日出雄
    • Organizer
      日本物理学会2012年秋季大会
    • Place of Presentation
      横浜国立大学
    • Year and Date
      20120918-20120921
  • [Presentation] アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造における キャリア輸送過程に起因した超高速光応答2012

    • Author(s)
      長谷川尊之
    • Organizer
      日本物理学会2012年秋季大会
    • Place of Presentation
      横浜国立大学
    • Year and Date
      20120918-20120921
  • [Presentation] Dynamical Characteristics of a Coherent Longitudinal Optical Phonon in a GaAs Buffer Layer Optically Covered with a GaSb Top Epitaxial Layer Investigated with Use of Terahertz Spectroscopy2012

    • Author(s)
      Hideo Takeuchi
    • Organizer
      PHONONS 2012: XIV International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter
    • Place of Presentation
      Ann Arbor, MI USA
    • Year and Date
      20120708-20120712
  • [Presentation] Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer2012

    • Author(s)
      Hideo Takeuchi
    • Organizer
      The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials
    • Place of Presentation
      Groningen, The Netherlands
    • Year and Date
      20120702-20120706

URL: 

Published: 2014-07-24  

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