2010 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
22760223
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
大橋 雄二 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50396462)
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Keywords | 超音波計測 / 酸化亜鉛単結晶 / 酸化亜鉛薄膜 / 抵抗率評価 |
Research Abstract |
酸化亜鉛(ZnO)を用いた高効率・高輝度発光(紫外)半導体デバイスを実現するうえで、基板上に良好な成長膜を形成する必要があり、それを得るためには膜と同じ材料の高均質なバルク基板を用いた膜成長(ホモエピタキシー)が理想的である。しかし、このバルク単結晶は開発途上の段階であり、導電性(抵抗率)の分布が生じる問題があるため、膜の品質に大きな影響を与えることが予想される。将来的により均質なバルク単結晶基板および成長膜を作製するうえでは、基板面全体を評価する技術も重要となる。そこで本研究は、精密な超音波計測技術を拡張して、抵抗率評価法を開発し、ZnO単結晶および薄膜評価のための基盤作りを行なうことを目的とする。 本年度は、水熱合成法により育成されたZnOバルク単結晶に対し、超音波計測により均質性評価を行うとともに精密な音響関連物理定数を決定し、弾性波伝搬特性の理論計算や評価のための基礎作りを行った。また、弾性特性と抵抗率依存性について抵抗率異方性の度合いを変化させて数値シミュレーションを行い、漏洩弾性表面波速度・減衰の周波数依存性を明らかにした。さらに、ZnO多結晶薄膜/SiO_2ガラス基板構造に対する漏洩弾性表面波速度・減衰の計測法について、複素v(z)曲線測定・解析法の検討、膜表面粗さに関する検討を行ない、多結晶構造の影響を弾性波の音速や減衰の超音波周波数に関する変化として抽出できることを明らかにした。
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Research Products
(1 results)