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2011 Fiscal Year Annual Research Report

電子セラミックス薄膜の自己組織化ナノ結晶成長とリコンフィギュラブルRF素子応用

Research Project

Project/Area Number 22760230
Research InstitutionNara Institute of Science and Technology

Principal Investigator

西田 貴司  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (80314540)

Keywords自己組織化 / ナノテクノロジ / 強誘電体 / 薄膜 / スパッタ法 / 原子平坦基板 / PbTiO3 / セラミックス
Research Abstract

チタン酸バリウムに代表される電子セラミックス誘電材料はキャパシタや圧電素子に広く実用されているが、材料を薄膜化することで、メモリ素子(強誘電体メモリFeRAM、マイクロ波バラクタ(BSTチューナブルキャパシタ)等のまったく新しい電子デバイスが登場する。しかし、多結晶であるセラミックス膜では、特性劣化や微細化限界の解明・解決の見通しはない。本研究ではこれまでにない形態のセラミックス:自己組織化ナノ結晶を創る。これは核形成を完全に制御して、「砂利道」のような従来の膜ではなく、「タイル張り」の超均質膜を得る。これで結晶粒界やサイズ効果が明解になり、基礎物理の解明が大幅に進展する。最終的に劣化と不均質を解消した膜によって、BSTマイクロ波バラクタの大幅な特性改善を達成する。
これまで開発したナノ結晶レベルでの薄膜作製技術をさらに最適化するだけではなく、薄膜上にマイクロ波導波路パターンを実際に作製し、特性の測定と、計算機シミュレーションを併用して特性の解析を行った。その結果、直流電圧によるマイクロ波特性のチューニングが明確に得られ、解析にて予想された結果とも一致した。また、基礎技術であるナノ結晶育成や機能性酸化膜作製についてもさらに高品質を進めた結果、優れた特性や低温化などの利点が得られたため、これらの結果を論文として順次、出版しつつある。

  • Research Products

    (10 results)

All 2011

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (6 results)

  • [Journal Article] Interface effect of high-k SrTa2O6 gate electrode on the characteristics of solution processed InZn4Ox thin-film transistors2011

    • Author(s)
      Li Lu, T.Nishida, et al
    • Journal Title

      The proceedings of AM-FPD 11

      Pages: 145-147

  • [Journal Article] Crystallizationusing biominerallized Ni nanodots of amorphous Si thick films prepared by CVD and sputtering deposition2011

    • Author(s)
      T.Nishida
    • Journal Title

      The proceedings of AM-FPD 11

      Pages: 129-132

  • [Journal Article] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire2011

    • Author(s)
      T.Nishida
    • Journal Title

      Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

      Pages: 106-107

  • [Journal Article] Thickness Dependence of Electrical Properties for High-k SrTa2O6 Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method2011

    • Author(s)
      Li Lu, T.Nishida
    • Journal Title

      JJAP

      Volume: 50 Pages: 03CA05-1-5

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.03CA05

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] (Ba,Sr)TaxOyおよび(Ba,Sr)TixOy薄膜の電圧線形性2011

    • Author(s)
      T.Nishida
    • Organizer
      第21回日本MRS学術シンポジウム
    • Place of Presentation
      横浜市開港記念会館
    • Year and Date
      2011-12-20
  • [Presentation] (BaxSr1-xTa2O6)高誘電薄膜の低温作製と電気的特性2011

    • Author(s)
      Li Lu, T.Nishida
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学小白川キャンパス
    • Year and Date
      2011-09-01
  • [Presentation] 強誘電体ナノ結晶評価のためのサファイア上へのPt原子レベル平坦層の形成(II)2011

    • Author(s)
      西田貴司
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学小白川キャンパス
    • Year and Date
      2011-08-30
  • [Presentation] Interface effect of high-K SrTa2O6 gate electrode on the characteristics of solution processed thin film transistors2011

    • Author(s)
      Li Lu, T.Nishida
    • Organizer
      The 20th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics
    • Place of Presentation
      Vancouver, Canada
    • Year and Date
      2011-07-25
  • [Presentation] 溶液法で作製したIn_4ZnO_x/SrTa_2O_6薄膜トランジスタの特性2011

    • Author(s)
      Li Lu, T.Nishida
    • Organizer
      第28回強誘電体応用会議(FMA28)
    • Place of Presentation
      コープイン京都,京都
    • Year and Date
      2011-05-26
  • [Presentation] 強誘電体薄膜での原子レベル平坦基板の有効性2011

    • Author(s)
      T.Nishida
    • Organizer
      日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第69回研究会
    • Place of Presentation
      東京大学生産技術研究所An棟401会議室(招待講演)
    • Year and Date
      2011-04-22

URL: 

Published: 2013-06-26  

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