2010 Fiscal Year Annual Research Report
ミストの特性を利用した応用技術の開発? -電子デバイス作製技術の為のミスト法-
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22760232
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| Research Institution | Kochi University of Technology |
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Principal Investigator |
川原村 敏幸 高知工科大学, ナノデバイス研究所, 助教 (00512021)
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| Keywords | ミスト / 薄膜成長 / 薄膜食刻(エッチング) / ミストの挙動 / 反応メカニズム / ミスト法の位置付け |
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| Research Abstract |
ミスト法は、(1)溶液を何らかの手法で「ミスト(霧)状」とし、(2)キャリアガス等によって運び、(3)反応させる、というプロセスからなる手法で、特殊な部品や真空を必要とせず簡単な構成が可能で、汎用高純度試薬を原料として用いることができ、プラズマ等の高エネルギ付与を必要としない、安全で低コストで省エネルギな手法である。当初薄膜の成長(デポジション)を中心にミストCVD法に関する研究を進めていたが、反応を操作すれば薄膜成長だけではなくエッチング加工も可能であることに気づき、ミストエッチングを開発した。ミストエッチングに関わる実験を進めたところ、パターンの形状から反応炉に飛んできたミスト(液滴)が、熱によって蒸発を起こし、そのミスト(液相)周りに蒸気膜(気相)を形成し、液滴自身は直接基板に付着することなく、蒸気膜中で反応を進行させている可能性が示唆された。
そこで当該年度、理論面から考察することにより上記現象に関して明確にした。また、ミストが反応炉において雰囲気などを操作することにより簡単にガスもしくは液どちらでも取り扱える事を証明した。それに伴い、上記特徴を有するミストを扱うミスト法が、より均質な薄膜を作製する事ができ、かつ、パターン精度の高い加工が可能である手法であり、従来のスプレー法と化学気相成長(CVD)法の丁度中間的な手法であることを明確にした。また、酸化亜鉛(ZnO)薄膜作製に関する過去の実験結果を再度検討し直し、薄膜成長時の反応について解析を進め、そのメカニズムを明らかにした。
上記原理やメカニズムについて現在論文作成中である。
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