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2011 Fiscal Year Annual Research Report

ミストの特性を利用した応用技術の開発I -電子デバイス作製技術の為のミスト法-

Research Project

Project/Area Number 22760232
Research InstitutionKochi University of Technology

Principal Investigator

川原村 敏幸  高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 講師 (00512021)

Keywordsミスト(液滴) / 大気圧プロセス / 化学気相成長(CVD)法 / 液滴の挙動 / 反応メカニズム / 金属酸化物薄膜 / デバイス作製工程の非真空化 / 薄膜トランジスタ(TFT)
Research Abstract

申請者が学生の頃より開発を進めてきたミスト法は、電子デバイスを構成する機能薄膜をより低コストかつ省エネルギに作製する為の新技術として期待され、最近では各所での開発がすすめられるようになってきた。しかしながら、そのメカニズムに関してはほとんど知見がなく、本助成によりそのメカニズムを解明する為の研究を進めてきた。昨年度、薄膜成長時における液滴の挙動が判明し、ミスト法が高温時(>約150℃)には、化学気相成長(CVD)であることを明らかにした。本年度はまず、その結果について論文にまとめた。またCVD法であることから、大面積に亘り容易に均質膜の作製が出来ると期待し、φ100mm基板に対応した装置を試作、様々な金属酸化物薄膜の均質化に関する実験を進めた。
一方で上記試作機を利用し薄膜トランジスタの作製を試み、作製工程の非真空化を目指した。最近では薄膜トランジスタ(TFTの作製工程の非真空化は、スピンコート法による半導体層作製などで試されている。しかしながら全プロセスを非真空化出来なければ、結局真空工程が必要となる為、環境負荷低減にならない。全行程の非真空化はスピンコート法では難しいが、ミストCVD法にはその可能性が認められる。そこで、絶縁層及び活性層をミストCVD法で作製した酸化物TFrの形成を試み、評価を行った。高誘電材料として期待される酸化アルミニウム(Alox)を絶縁層に、アモルファスSiよりも高移動度が期待できる、酸化亜鉛(ZnO)、もしくは、酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)を半導体層とした。その結果ZnOを活性層に持つ酸化物TFTはあまり良い結果を得ることができなかったが、IGZOを活性層に持つ酸化物TFTは他で報告されている結果と同様の性能を発揮するものを形成する事に成功した。この研究から、薄膜内の組成比や不純物を制御する事で、より高性能な酸化物TFTの作製が出来る可能性があることを見出した。

  • Research Products

    (11 results)

All 2012 2011 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (5 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Development and Research on the Mechanism of Novel Mist Etching Method for Oxide Thin Films2012

    • Author(s)
      T. Kawaharamura and T. Hirao
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: Vol.51 Pages: 036503

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.51.036503

  • [Journal Article] Successful growth of conductive highly-crystalline Sn-doped α-Ga2O3 thin films by fine channel mist chemical vapor deposition2012

    • Author(s)
      T.Kawaharamura, Giang T.Dang, M.Furuta
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys.

      Volume: 51 Pages: 040207

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.040207

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Influence of annealing under reducing ambient on properties of ZnO thin films prepared by mist CVD2011

    • Author(s)
      T. Kawaharamura, H. Orita, T. Shirahata, A Yoshida, S. Fujita, and T. Hirao
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(c)

      Volume: Vol.9 Pages: 190-193

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201100281

  • [Presentation] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製2012

    • Author(s)
      川原村敏幸, 王大鵬, 古田守
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] Green processes of ZnO transparent conducting thin films with mist CVD2011

    • Author(s)
      Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Orita, Takahiro Shirahata, Takashi Hirao, Shizuo Fujita
    • Organizer
      2011 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • Year and Date
      20111128-1202
  • [Presentation] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製2011

    • Author(s)
      川原村敏幸, 王大鵬, 〓太江, 古田守
    • Organizer
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • Place of Presentation
      龍谷大学アバンティ響都ホール&マリアージュ・グランデ
    • Year and Date
      20111104-20111105
  • [Presentation] Study on the behavior of mist droplets and the mechanism in the mist Chemical Vapor Deposition2011

    • Author(s)
      T.Kawaharamura, S.Fujita, T.Hirao
    • Organizer
      15th Intl.Conference on II-VI Compounds-II-VI 2011
    • Place of Presentation
      Mayan Riviera, Mexico
    • Year and Date
      20110821-20110826
  • [Presentation] Influence of annealing under reducing ambient on properties of ZnO thin films prepared by mist deposition2011

    • Author(s)
      T.Kawaharamura, H.Orita, T.Shirahata, A Yoshida, S.Fujita, T.Hirao
    • Organizer
      38th International Symposium on Compound Semiconductors-ISCS 2011
    • Place of Presentation
      Maritim proArte Hotel, Berlin, Germany
    • Year and Date
      20110522-20110526
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.nano.kochi-tech.ac.jp/tosiyuki/index.html

  • [Patent(Industrial Property Rights)] ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法2011

    • Inventor(s)
      川原村敏幸
    • Industrial Property Rights Holder
      高知工科大学
    • Industrial Property Number
      特許、特願2011-164748
    • Filing Date
      2011-07-27
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 酸化マグネシウム(MgO)絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マブネシウム絶縁膜の成膜装置2011

    • Inventor(s)
      白幡孝洋, 織田容征, 吉田章男, 平尾孝, 川原村敏幸
    • Industrial Property Rights Holder
      高知工科大学,東芝三菱電機産業システム株式会社
    • Industrial Property Number
      特許、特願2011-008549
    • Filing Date
      2011-01-17

URL: 

Published: 2013-06-26  

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