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2011 Fiscal Year Final Research Report

Application technology development harnessing mist characteristics-The mist method for fabrication technology of electronic devices-

Research Project

  • PDF
Project/Area Number 22760232
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionKochi University of Technology

Principal Investigator

KAWAHARAMURA Toshiyuki  高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 講師 (00512021)

Project Period (FY) 2010 – 2011
Keywords電気・電子材料 / ミスト / 薄膜 / 成長 / 加工 / 電子デバイス
Research Abstract

It succeeded in clarifying the mechanism and behavior about the mist method. As a result, any researches have been stepped up. Moreover, the index of non-vacuum process conversion of the TFT fabrication process was demonstrated. Application development of the mist CVD to the electronic device fabrication technology was promoted.

  • Research Products

    (20 results)

All 2012 2011 2010 Other

All Journal Article (3 results) Presentation (8 results) Remarks (7 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Development and Research on the Mechanism of Novel Mist Etching Method for Oxide Thin Films2012

    • Author(s)
      T. Kawaharamura and T. Hirao
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: Vol.51 Pages: 036503

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.51.036503

  • [Journal Article] Successful growth of conductive highly-crystalline Sn-dopedα-Ga2O3 thin films by fine channel mist chemical vapor deposition2011

    • Author(s)
      T. Kawaharamura, Giang T. Dang, and M. Furuta
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: Vol.51 Pages: 040207

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.51.040207

  • [Journal Article] Influence of annealing under reducing ambient on properties of ZnO thin films prepared by mist CVD2011

    • Author(s)
      T. Kawaharamura, H. Orita, T. Shirahata, A Yoshida, S. Fujita, and T. Hirao
    • Journal Title

      Physica Status Solidi(c)

      Volume: Vol.9 Pages: 190-193

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201100281

  • [Presentation] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製2012

    • Author(s)
      川原村敏幸, 王大鵬, 古田守
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] 誘電泳動法による半導体CNT薄膜トランジスタの作製2012

    • Author(s)
      戸田達也, 古沢浩, 古田守, 川原村敏幸
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] Green processes of ZnO transparent conducting thin films with mist CVD2011

    • Author(s)
      Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Orita, Takahiro Shirahata, Takashi Hirao, Shizuo Fujita
    • Organizer
      2011 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • Year and Date
      20111128-1202
  • [Presentation] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製2011

    • Author(s)
      川原村敏幸, 王大鵬, 登太江, 古田守
    • Organizer
      薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
    • Place of Presentation
      龍谷大学アバンティ響都ホール & マリアージュ・グランデ
    • Year and Date
      20111104-05
  • [Presentation] Study on the behavior of mist droplets and the mechanism in the mist Chemical Vapor Deposition2011

    • Author(s)
      T. Kawaharamura, S. Fujita, and T. Hirao
    • Organizer
      15th Intl. Conference on II-VI Compounds-II-VI 2011
    • Place of Presentation
      Mayan Riviera, Mexico
    • Year and Date
      20110821-26
  • [Presentation] ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製~大気圧下、低温成長への挑戦~2011

    • Author(s)
      川原村敏幸, 織田容征, 白幡孝洋, 井川拓人, 伊藤大師, 吉田章男, 藤田静雄, 平尾孝
    • Organizer
      発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
    • Year and Date
      20110128-29
  • [Presentation] A Novel Solution-based Vapor-etching Technique : Mist-etching2010

    • Author(s)
      川原村敏幸(Toshiyuki Kawaharamura)、平尾孝(Takashi Hirao)
    • Organizer
      2010 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • Place of Presentation
      Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
    • Year and Date
      20101128-1203
  • [Presentation] ミスト法における局所反応場でのミスト液滴の挙動2010

    • Author(s)
      川原村敏幸, 平尾孝
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大
    • Year and Date
      20100914-17
  • [Remarks] 受賞等(1)第8回薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード平成23年11月5日

  • [Remarks] (2)第7回薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード平成22年11月6日

  • [Remarks] 展示・出展(1)イノベーション・ジャパン2011_大学見本市,(東京国際フォーラム,東京,日本, 2011年9月21-22日), M-37

  • [Remarks] (2)第5回国際先端表面技術展・会議-ASTEC 2011(東京ビックサイト東6ホール & 会議場,東京,日本, 2011年2月16-18日), I-07

  • [Remarks] 本人ホームページ

    • URL

      http://www.nano.kochi-tech.ac.jp/tosiyuki/index.html

  • [Remarks] 本人博士論文

    • URL

      http://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/dspace/handle/2433/57270

  • [Remarks] 本人通年成果一覧

    • URL

      http://www.kochi-tech.ac.jp/kut_J/university/pdf/prof/kawaharamura-toshiyuki.pdf

  • [Patent(Industrial Property Rights)] ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法2011

    • Inventor(s)
      川原村敏幸
    • Industrial Property Rights Holder
      高知工科大学
    • Industrial Property Number
      特許、特願2011-164748
    • Filing Date
      2011-07-27
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 酸化マグネシウム(M g O)絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マブネシウム絶縁膜の成膜装置2011

    • Inventor(s)
      白幡孝洋,織田容征,吉田章男,平尾孝,川原村敏幸
    • Industrial Property Rights Holder
      高知工科大学,東芝三菱電機産業システム株式会社
    • Industrial Property Number
      特許、特願2011-008549
    • Filing Date
      2011-01-17

URL: 

Published: 2013-07-31  

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