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2022 Fiscal Year Comments on the Screening Results

ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成

Research Project

Project/Area Number 22H00202
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

冨岡 克広  北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60519411)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 池辺 将之  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (20374613)
本久 順一  北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263)
Project Period (FY) 2022-04-01 – 2026-03-31
Summary of the Research Project

本研究では、異種の高移動度電荷と量子トンネル電子を1つのナノワイヤに統合・同時制御することにより、各々が有する利点である高性能性と低消費電力性を両立可能な高密度ハイブリッド集積デバイス実現を目指す。これにより、高性能化と低消費電力化が両立された次世代ナノエレクトロニクス技術を実現し、エネルギー消費量の指数関数的増加に対応する。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

異なる素子原理を、1つのナノワイヤ素子に一度の材料集積で同時に制御するアプローチは、独自性が高い。応募者は、Si上のIII-V族ナノワイヤ成長技術を核として縦型トランジスタ、縦型トンネルFETを提案し、物理限界を下回るサブスレッショルド電圧を実現するなど十分な研究開発実績があり、着実な研究進捗が期待される。

URL: 

Published: 2022-06-29  

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