融液成長の限界を超越する新規ルツボフリー成長法によるGa2O3の成長と欠陥評価

2022 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 22H00204
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 吉川 彰 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50292264)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 柿本 浩一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90291509) ; 赤岩 和明 鳥取大学, 工学研究科, 助教 (90778010)
• Project Period (FY): 2022-04-01 – 2025-03-31

Summary of the Research Project

次世代の半導体材料として期待されるワイドギャップを有するGa2O3の結晶成長において、現在主流のツルボを用いた成長方法による酸素欠陥の問題を解決するために、本研究では原料の中心部のみを加熱・融解させ、溶け残った原料をルツボ代わりとする「スカルメルト＋Cz法」という新成長法に関する物理現象を解明するものである。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究は、これまでの溶融成長方法を一変させる独創的かつインパクトのある優れた提案であり、他材料にも展開できるようなルツボフリーな育成法の普遍的な学理の構築を目指すもので学術的意義も大きい。すでに結晶作製や結晶成長シミュレーションなどの予備的検討を開始しており、高い実現性が期待される。