2022 Fiscal Year Comments on the Screening Results

極薄膜半導体チャネルCMOSのキャリア輸送特性の解明と高移動度化手法の確立

Research Project

Project/Area Number	22H00208
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	高木信一東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30372402)
Project Period (FY)	2022-04-01 – 2025-03-31
Summary of the Research Project	CMOSのチャネル薄膜化において課題となる移動度の劣化に対して、MOS界面に平行方向に有効質量が小さいサブバンドへのキャリアの占有とMOS界面欠陥や表面ラフネスを低減する技術を組み合わせ、高移動度特性を持つMOSFETの実現を目指す研究である。
Scientific Significance and Expected Research Achievements	CMOSのチャネル薄膜化において課題となる移動度の劣化に対して、5nmを下回るプロセスノードのCMOSで高移動度を実現する材料や構造を明らかにする点において、オリジナリティとともに学術的意義が大きい。本研究を通して移動度の決定メカニズムに関する学理の解明につながることが期待される。