GaNのIMPATT格子によるコヒーレントハイパワーTHz源

2022 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 22H00213
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 天野 浩 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60202694)
• Project Period (FY): 2022-04-01 – 2027-03-31

Summary of the Research Project

半導体の中でも絶縁破壊電界が高いGaN用いて、二次元格子構造をもつIMPATT格子を構成し、出射方向を制御した、１Wを超えるコヒーレントハイパワーTHz発振デバイスを実現することを目的とする研究である。さらに本研究の発展として、小型のフェーズドアレイアンテナ型テラヘルツ発振器への応用も視野に入れている。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

高い独自性、独創性とともに大きな学術的意義、波及効果を有する研究である。応募者のオリジナリティに富むこれまでの研究実績・環境に基づいて、達成目標をともなう具体的な研究計画が練られており、確実な成果が期待できる。研究目的が実現した際の社会的貢献度が高く、今後THz帯のエレクトロニクスを飛躍的に発展させていく上で強く推進すべき研究である。