ダイヤモンド中のIV族‐空孔中心の電荷制御と量子ネットワークデバイスの創製

2022 Fiscal Year Abstract

• Project/Area Number: 22H04962
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Broad Section D
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 岩崎 孝之 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80454031)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 拠点長 (80354413) ; 宮本 良之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (70500784) ; 牧野 俊晴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20360258) ; 岩本 敏 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40359667)
• Project Period (FY): 2022-04-27 – 2027-03-31