• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2023 Fiscal Year Research-status Report

量子ドット超格子における電場増強効果を利用したホットキャリア型太陽電池

Research Project

Project/Area Number 22K04183
Research InstitutionKobe University

Principal Investigator

原田 幸弘  神戸大学, 工学研究科, 助教 (10554355)

Project Period (FY) 2022-04-01 – 2025-03-31
Keywords局在表面プラズモン共鳴 / InAs/GaAs量子ドット / 太陽電池
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、InAs/GaAs量子ドット超格子を内包する太陽電池において、局在表面プラズモン共鳴を利用した高効率なホットキャリア電流取り出しを実現し、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破する、ホットキャリア型太陽電池の学理構築と高効率化技術の開発を目的とする。2023年度は、高密度InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による自由キャリア吸収特性に関する研究を遂行した。具体的な研究成果は以下の通りである。
○2022年度の研究成果より、電子の擬Fermi準位の上昇に伴って、InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長は近・中赤外波長域において短波長側へシフトする。InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長を太陽光スペクトルの波長帯域に制御することによって、GaAs層での自由キャリア吸収による励起レートが1桁増大することを、有限要素法をベースとした光電磁場解析によって明らかにした。この計算結果は、AlGaAs/GaAsヘテロ構造で構成された2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池において、InAs/GaAs量子ドット近傍の電場増強効果を利用することでエネルギー変換効率の向上が期待できることを示唆している。
○InAs/GaAs量子ドットの面密度を高くすることによって、自由キャリア吸収の吸収率が増大し、局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長が長波長側へシフトすることを明らかにした。また、高い電子密度においては局在表面プラズモン共鳴による散乱は吸収よりも強くなることが明らかになった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、高密度InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による光電場増強特性を解明した。量子ドットにおけるバンド内遷移はホットキャリア型太陽電池の変換効率を向上させるため、局在表面プラズモン共鳴による光電場増強効果を利用することによって、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現が期待できる。

Strategy for Future Research Activity

単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、2024年度は、局在表面プラズモン共鳴による光電場増強効果を考慮したInAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池の理論変換効率を明らかにする。

Causes of Carryover

投稿論文の採否決定が次年度となったため次年度使用額が生じた。当該助成金は論文出版費に使用する。

  • Research Products

    (9 results)

All 2024 2023

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Open Access: 2 results) Presentation (5 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Electric Field Enhancement Effect by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots2024

    • Author(s)
      Mizuto Kawakami, Yukihiro Harada, Shigeo Asahi, Takashi Kita
    • Journal Title

      Journal of the Society of Materials Science, Japan

      Volume: 73 Pages: 178~182

    • DOI

      10.2472/jsms.73.178

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] 量子ドットを内包するヘテロ界面を利用した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池2023

    • Author(s)
      朝日 重雄、原田 幸弘、喜多 隆
    • Journal Title

      応用物理

      Volume: 92 Pages: 550~554

    • DOI

      10.11470/oubutsu.92.9_550

  • [Journal Article] Two-step photon up-conversion solar cell using quantum dots embedded beneath the hetero-interface2023

    • Author(s)
      Shigeo Asahi, Yukihiro Harada, Takashi Kita
    • Journal Title

      JSAP Review

      Volume: 2023 Pages: 230426-1~5

    • DOI

      10.11470/jsaprev.230426

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] 中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度2024

    • Author(s)
      原田 幸弘, 西井 風花, 喜多 隆
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Localized Surface Plasmon Resonance of Quantum Dots in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell Structures2023

    • Author(s)
      Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, and T. Kita
    • Organizer
      50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強2023

    • Author(s)
      川上 瑞人, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Enhanced Near-Infrared Absorption by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots2023

    • Author(s)
      Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, and T. Kita
    • Organizer
      第42回電子材料シンポジウム
  • [Presentation] 局在表面プラズモン共鳴による高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける赤外光吸収増強2023

    • Author(s)
      川上 瑞人, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    • Organizer
      第34回光物性研究会
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 中間バンドを用いた熱放射発電素子2023

    • Inventor(s)
      原田 幸弘, 喜多 隆
    • Industrial Property Rights Holder
      原田 幸弘, 喜多 隆
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      2023-174708

URL: 

Published: 2024-12-25  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi