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2023 Fiscal Year Research-status Report

Local emission and defect of AlGaN ternary alloy by microscopic spectroscopy and efficiency reduction mechanism

Research Project

Project/Area Number 22K04184
Research InstitutionYamaguchi University

Principal Investigator

倉井 聡  山口大学, 大学院創成科学研究科, 助教 (80304492)

Project Period (FY) 2022-04-01 – 2026-03-31
KeywordsAlGaN / 量子井戸構造 / 転位 / 点欠陥 / 内部量子効率 / カソードルミネッセンスマッピング法
Outline of Annual Research Achievements

対向配置でアニールされたスパッタAlN(FFA-AlN)テンプレート上に成長した、転位密度が同じかつ内部量子効率(IQE)が異なる深紫外光AlGaN多重量子井戸(MQW)構造に対して、カソードルミネッセンス(CL)強度分布像に現れる貫通転位に対応した暗点コントラストの解析を行った結果について考察を進めた。得られた実効拡散長および暗点コントラストとIQEの関係について、理論フィッティングを適用して解析を行った。既に実効拡散長とIQEには明確な正相関があることが明らかとなっていたが、今回、IQEの変化が点欠陥の影響を考慮した実効拡散長および暗点コントラストの理論モデルを用いて定性的に説明できることが示された。また、用いられたフィッティングパラメータもこの材料系において適切な範囲であった。昨年度に引き続いて、貫通転位密度が異なるFFA-AlNテンプレートおよびMOVPE-AlNテンプレート上に成長した井戸数が異なるAlGaN MQWのIQEと実効拡散長の相関について比較を行った。MQW層数の増加によりIQEが改善、実効拡散長が長くなる傾向から、点欠陥の影響が低減するものと考えられ、これらの結果について考察を更に進めた。MOVPE-AlN上より1桁程度転位密度が低いFFA-AlN上MQWにおいてMQW層数増加に対するIQEの改善効果がより顕著であった。これらの結果は、MQW層数増加によるIQE改善効果に加えて、貫通転位を介した点欠陥拡散の可能性を示唆するものであった。貫通転位の抑制が点欠陥抑制にも寄与する可能性がある。さらに、IQE評価における効率曲線との相関について調べるために、まず、試験的にいくつかの試料に対してCL強度分布像から見積もった実効拡散長の照射電流依存性を評価し、照射電流に対する変化が見られることを確認した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

2023年度を目処に評価手法についての一連の検討を済ませること念頭に研究を推進してきた。2023年度は、主に2022年度に得られた実験結果に対する理論的側面からの補強を行った。これにより、CL強度分布像中の暗点コントラスト解析を用いて、IQEに対する点欠陥の影響を評価する手法が定性的比較においては有用であることを示すことができた。また、実際にその手法を用いて貫通転位密度およびMQW層数が異なる試料に対する解析を行い、その結果をもとにMQW層数や転位密度が試料中の点欠陥の拡散に与える影響について考察し、考えうるモデルを提案できた。この手法を用いた新たな研究展開として、励起パワー密度依存フォトルミネッセンス(PL)測定において観測される非輻射再結合中心の充填過程について、実効拡散長の電流依存性との比較を通じた検討を開始し、非輻射再結合中心の充填を示唆する新たなデータが得られ始めている。
また、派生研究として近年、人体に無害な殺菌消毒用固体光源用として注目されている230nm帯の発光波長を呈するMQWについてCL評価を行い、発光の空間分布について評価を開始した。MQW層数が異なる試料において発光波長、発光強度の空間分布に変化が見られたが、積分CL強度はほぼ一定で結果的にマクロな発光特性に悪影響を与えていないことがわかっており興味深い。

Strategy for Future Research Activity

2024年度は、CL強度像中の暗点解析により見積もった実効拡散長の照射電流依存性についてさらに研究を進める。具体的にはIQEが異なる試料に対して照射電流依存性評価を行うことにより、IQEと相関して現れる変化に着目した検討を行う予定である。IQEとの相関が系統的に得られた場合は、理論的な考察を進める。これにより、定性的ではあるものの、局所的なIQEの高低について議論できる可能性がある。派生研究として230nm帯発光波長のMQWについてもIQE評価と空間分解分光を絡めた実験、検討を継続したい。新たな試料についても入手準備を行っているところであり、更にデータを蓄積していく予定である。

Causes of Carryover

走査電子顕微鏡・カソードルミネッセンス装置の電子銃の保守費用として計上していたが、電子銃の状態が良く、早ければ2023年度を予定していた電子銃の交換を後ろ倒しにすることになったため、次年度使用額が生じた。ポジティブな方向での計画変更であり、電子銃の性能が維持される限りにおいて、可能な限り後ろ倒しで計画執行する予定である。また、一部は消耗品費に充当する。

  • Research Products

    (6 results)

All 2023

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results,  Open Access: 1 results) Presentation (5 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results)

  • [Journal Article] Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates2023

    • Author(s)
      Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, and Yoichi Yamada
    • Journal Title

      AIP Advances

      Volume: 13 Pages: 045319-1-7

    • DOI

      10.1063/5.0145131

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] スパッタAlNテンプレート上に成長した量子井戸数の異なる230 nm帯AlGaN量子井戸構造のカソードルミネッセンス評価2023

    • Author(s)
      山口竜平, 大西悠太, 藤井恵, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一
    • Organizer
      2023年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会
  • [Presentation] 低転位AlN テンプレートを用いたAlGaN 量子井戸構造における 内部量子効率の量子井戸数依存性2023

    • Author(s)
      稲井滉介,押村遼太,姫野邦夫,藤井恵, 大西悠太,倉井聡,岡田成仁,上杉謙次郎,三宅秀人,山田陽一
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] UV-C 発光帯AlGaN 多重量子井戸構造における CL 強度ラインプロファイルの電流依存性2023

    • Author(s)
      大西悠太,山口竜平,武居俊宏, 倉井聡,岡田成仁,上杉謙次郎,三宅秀人,山田陽一
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Well-Number-Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates2023

    • Author(s)
      Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, and Yoichi Yamada
    • Organizer
      The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Relationship between Internal Quantum Efficiency and Point Defects in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates2023

    • Author(s)
      Megumi Fujii, Yuta Onishi, Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, and Yoichi Yamada
    • Organizer
      The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2024-12-25  

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