六方晶窒化ホウ素単結晶中不純物が絶縁特性に及ぼす影響評価

2023 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 22K14559
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 小野寺 桃子 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (10907819)
• Project Period (FY): 2022-04-01 – 2024-03-31
• Keywords: 二次元層状物質 / 六方晶窒化ホウ素

Outline of Annual Research Achievements

六方晶窒化窒化ホウ素（h-BN)中の不純物が耐電圧特性に及ぼす影響を評価するため、炭素アニール結晶及びアニールしていない結晶を使用し、粘着テープを用
いたメカニカル劈開ほうによって薄膜化しSiO2基板上にh-BNフレークを作製した。それらのフレークを塩化ビニール（PVC）を用いてSIO2基板上の金属電極上に
載せ、その後さらに金属電極を載せることによって上下の電極でh-BNを挟み込んだデバイスを作製し、室温及び極低温で測定を行った。炭素原子がドープされて
いる場合とされていない場合において耐電圧曲線の振る舞いが変化することが確認できた。また、スローカメラを用いてh-BNが破壊される瞬間の様子を観察した。