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2022 Fiscal Year Research-status Report

窒化物光デバイスの高効率化に向けた光電子・発光融合分光分析の創製

Research Project

Project/Area Number 22K14614
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

市川 修平  大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (50803673)

Project Period (FY) 2022-04-01 – 2024-03-31
Keywords窒化物半導体 / 時間分解 / 光電子分光 / フォトルミネッセンス
Outline of Annual Research Achievements

本研究では、次世代光デバイス用材料として注目されている窒化物半導体に対して、従来から行われてきた発光分光分析に加えて、励起状態に対する紫外光電子分光分析を融合した新奇評価手法を開拓し、キャリアダイナミクス制御にむけた指針を得ることを目的としている。
今年度は、フェムト秒レーザをポンプ・プローブ光に用いた時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、InGaN/GaN 量子井戸(QW)に励起された電子の緩和過程を、バンド端発光を得ることなく検出することを試みた。
井戸層のIn組成が25%、井戸幅2~6 nmのQWに対して室温下で測定を行った。いずれの試料も室温では非輻射再結合が支配的であり、とくに井戸幅6 nmの試料では室温下でバンド端発光が殆ど得られないことを確認した。励起光源となるポンプ光としてTi:Sappレーザの第二高調波(波長400 nm)を用い、第三高調波(波長267 nm)を光電子放出のためのプローブ光として試料に照射した。各パルスの光路差を制御することで高い時間分解能を有するTr-2PPE系を構築した。
試料に対してTr-2PPE測定を行った結果、励起電子が時間と共に再結合過程により減少することを確認した。励起電子の緩和はシングルexponential型を呈しており、見積もられた緩和寿命は井戸幅2 nmのQWで120 ps、井戸幅6 nmのQWで40 psであった。一般にInGaN QWの輻射再結合寿命はnsオーダー以上の値であることから、見積もられた緩和寿命は非輻射再結合寿命の影響を支配的に受けたものであるとが裏付けられた。これらの結果から、バンド端発光を伴わない遷移過程が支配的な試料であっても、Tr-2PPE測定により緩和寿命測定が可能であることが明らかになった。また、窒化物半導体の発光素子作製についても別途順調に研究が進行した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

今年度は、窒化物半導体に対して光電子分光と発光分光を融合した測定を行い、バンド端発光を伴わない遷移過程が支配的な試料であっても、Tr-2PPE測定により緩和寿命測定が可能であることを明らかにした。さらに、得られた測定結果から、欠陥の増加に伴って非輻射遷移確率が増加する様子を電子分光の観点から評価することに成功した。上記のことからも、研究は当初の予定対して遅れることなく順調に進展しているものと考えている。

Strategy for Future Research Activity

今年度は、光電子分光と発光分光を融合した基本的な測定法を確立した。また窒化物半導体光素子の結晶成長やデバイスプロセスについても順調に研究が推進された。次年度以降は、実際に窒化物半導体における量子井戸界面でのキャリアダイナミクスや表面再結合の影響の評価など、超小型・高精細な「マイクロLEDディスプレイ」の実現にむけて制御が求められる事項についても評価を展開していく予定である。

Causes of Carryover

研究推進に必要な光学除振台を設備として購入し導入する予定であったが、別途推進している研究の一環で光学除振台が導入され、本研究推進にあたっても十分な研究領域を確保することができたため、未使用が生じた。
次年度、この未使用分は光学実験のための光学部品購入を中心に充てる予定である。

  • Research Products

    (29 results)

All 2023 2022

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results,  Open Access: 1 results) Presentation (27 results) (of which Int'l Joint Research: 6 results,  Invited: 3 results)

  • [Journal Article] Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing2023

    • Author(s)
      T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 122 Pages: 032102~032102

    • DOI

      10.1063/5.0136880

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering2022

    • Author(s)
      T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Journal Title

      Optics Express

      Volume: 30 Pages: 28853~28853

    • DOI

      10.1364/OE.460467

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Presentation] 時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定2023

    • Author(s)
      市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 毎田 修, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Eu添加GaNおよびInGaN量子井戸のハイブリッド積層による同一サファイア基板上フルカラーLEDの作製と室温動作2023

    • Author(s)
      市川 修平, 塩見 圭史, 森川 隆哉, 佐々木 豊, D. Timmerma, 舘林 潤, 藤原 康文
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価2023

    • Author(s)
      市川 修平, 上杉 謙次郎, 齊藤 一輝, 肖 世玉, 正直 花奈子, 中村 孝夫, 毎田 修, 三宅 秀人, 小島 一信
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Si3N4メタサーフェスを利用した半極性(20-21) InGaN円偏光素子の設計2023

    • Author(s)
      村田雄生、市川修平、戸田晋太郎、藤原康文、小島一信、中川貴
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] 高温アニール処理を施したEu,O共添加GaNの光励起・電流注入下における発光特性2023

    • Author(s)
      岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、Volkmar Dierolf、Hayley Austin、Brandon Mitchell、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Tb添加AlxGa1-xN発光ダイオードにおける発光特性と電気的特性のAl原料供給量依存性2023

    • Author(s)
      山崎舜介、市川修平、岩谷孟学、藤原康文
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計2023

    • Author(s)
      鈴木 恭平, 村田 雄生, 市川 修平, 戸田 晋太郎, 毎田 修, 小島 一信
    • Organizer
      第70回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Tb添加AlxGa1-xNを活性層に用いた発光ダイオードの発光特性と電気的特性の評価2023

    • Author(s)
      山崎舜介、市川修平、岩谷孟学、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      令和4年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
  • [Presentation] Visualization of Excited-Electron Relaxation in InGaN Quantum Wells using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy2022

    • Author(s)
      S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and K. Kojima
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, Berlin, Germany
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Monolithically-Stacked Tri-Colored LEDs towards Micro-LED Display with Eu-doped GaN and InGaN Layers2022

    • Author(s)
      S. Ichikawa, K. Shiomi, T. Morikawa, Y. Sasaki, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, Berlin, Germany
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価2022

    • Author(s)
      市川 修平, 毎田 修, 小島 一信
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Invited
  • [Presentation] Eu添加GaN赤色LEDの進展と2光子光電子分光法による表面再結合過程の直接評価の提案 ~マイクロLED素子応用に向けて~2022

    • Author(s)
      市川 修平, 藤原 康文, 小島 一信
    • Organizer
      Sophia Open Research Week 2022第3回半導体ナノフォトニクス研究会
    • Invited
  • [Presentation] 二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価2022

    • Author(s)
      市川 修平, 毎田 修, 小島 一信
    • Organizer
      第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022
  • [Presentation] 導電性HfO2/TiO2 DBRを用いた垂直共振器型Eu添加GaN赤色発光ダイオードの動作実証2022

    • Author(s)
      一宮亘、市川修平、小林周平、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Eu添加GaN表面平坦化層導入による微傾斜(0001) InGaN量子井戸発光の均一性向上2022

    • Author(s)
      大和玲雄、市川修平、竹尾敦志、館林潤、藤原康文
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Eu添加GaN下地層の導入による(20-21)GaNテンプレート上InGaN量子井戸の表面平坦化と発光特性評価2022

    • Author(s)
      竹尾敦志、市川修平、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 可視光域におけるIII族窒化物系フォトニック結晶共振器の高Q値化に向けた2次元ヘテロ構造の導入2022

    • Author(s)
      岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Invited
  • [Presentation] 成長後高温熱処理によるEu,O共添加GaNの発光中心再構成とEu赤色発光の高効率化2022

    • Author(s)
      岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] InGaN円偏光素子の実現に向けたSi3N4メタサーフェスの設計と作製2022

    • Author(s)
      村田雄生、戸田晋太郎、藤原康文、中川貴、市川修平
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 高温アニール処理によるEu,O共添加GaN中Euの周辺局所構造変化とEu赤色発光の高効率化2022

    • Author(s)
      岩谷孟学、市川修平、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文
    • Organizer
      日本材料学会令和4年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
  • [Presentation] Si3N4メタサーフェス導入によるInGaN発光波長域での円偏光動作実証2022

    • Author(s)
      村田雄生、戸田晋太郎、藤原康文、 中川貴、市川修平
    • Organizer
      日本材料学会令和4年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会
  • [Presentation] Enhanced red luminescence from Eu-doped GaN RCLED using a conductive HfO2/TiO2 DBR2022

    • Author(s)
      W. Ichimiya, S. Ichikawa, S. Kobayashi, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      41st Electronic Materials Symposium
  • [Presentation] Highly efficient linear-to-circular polarization converter using Si3N4 metasurfaces for application in InGaN-based emitters2022

    • Author(s)
      Y. Murata, S. Toda, Y. Fujiwara, T. Nakagawa, and S. Ichikawa
    • Organizer
      41st Electronic Materials Symposium
  • [Presentation] Demonstration of a GaN-based high-Q (7900) H3 photonic crystal cavity in the red region2022

    • Author(s)
      T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2022 (ICNN2022), Yokohama, Japan
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Drastically reduced compositional fluctuation and indium incorporation in InGaN QWs grown on vicinal substrates using Eu-doped GaN interlayers2022

    • Author(s)
      R. Yamato, S. Ichikawa, A. Takeo, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), Nagoya, Japan
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Improved Q-factors (> 10000) of III-Nitride-Based Two-Dimensional Photonic Crystal Cavities in the Red Region2022

    • Author(s)
      T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, Berlin, Germany
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Control of highly efficient Eu luminescence centers and drastic intensity enhancement in Eu-doped GaN grown on semipolar (20-21) GaN2022

    • Author(s)
      A. Takeo, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, Berlin, Germany
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2023-12-25  

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