2022 Fiscal Year Comments on the Screening Results
独自低温金属蒸着法による酸化物エレクトロニクスの革新
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22K18293
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
Le DucAnh 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (50783594)
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| Project Period (FY) |
2022-06-30 – 2026-03-31
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| Summary of the Research Project |
従来，酸化物半導体でP型を実現するのが困難であり，この問題を解決するため，電子相関を利用して値電子帯に正孔をドープする低温金属蒸着法を適用する．この方法は応募者が開発したものであり，P型形成を困難にしていた酸素欠損の形成を抑制できる効果がある．応募者はこの低温金属蒸着法を実証済みであり，これから集積回路の低コスト化と大面積化可能なプロセスの確立を目指している．
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| Scientific Significance and Expected Research Achievements |
酸化物半導体でP型を実現することは非常にインパクトがあり，低コストかつ大面積化可能な集積化技術が確立できれば産業界へ大いに貢献できると考えられる．学術的にも新領域を開拓できる可能性が大いにあり，具体的にN型SrTiO3の基盤表面に低温金属蒸着法を用いてP型を形成することを示唆しており，実現性も高く評価できる．
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