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2022 Fiscal Year Research-status Report

Artificial neuron with all functions using only one functional material

Research Project

Project/Area Number 22K18788
Research InstitutionGunma University

Principal Investigator

イン ユウ  群馬大学, 大学院理工学府, 教授 (10520124)

Project Period (FY) 2022-06-30 – 2024-03-31
Keywords学習機能 / 発火機能 / シナプス / ニューロン / 人工知能素子
Outline of Annual Research Achievements

最近、医療や交通の分野への活用が期待される、革新的コンピューティング技術として、人工ニューロンと人工シナプスからなる脳型システムが世界中で非常に注目されている。今後、膨大な音声や画像データをリアルタイムで処理する必要があるため、この脳型システムにおける高集積化と低消費電力化などは極めて重要である。本研究では、入力信号履歴に応じての結合荷重変化機能(学習機能)を持つシナプス部分と情報を発信する機能(発火機能)を持つニューロン細胞部分からなる人工知能素子を創製することを目的とする。
今年度では、最初に第一原理計算(アドバンスソフト)を用い、人工知能素子に適する新材料を探索した。GeTeとSb2Te3の構造を作成し、最適化した後に、状態密度を計算した。また、それに基づいて算出したバンドギャップは1.1973 eV(GeTe)と0 eV(Sb2Te3)である。GeTeに窒素(N)を添加した場合、バンドギャップが閉じってしまうことが示された。これに対し、GeTeに酸素(O)を添加した場合、バンドギャップが大きくなり、次第に3.244 eVに広げた。Sb2Te3にOを添加すると、他の結果と比べて添加割合増加によりバンドギャップを徐々に広くさせることができた。これにより、Sb2Te3をベースとした添加材料は人工知能素子機能材料に適していると考えられる。また、有効遮蔽媒質法(ESM法)を用い、電場印加におけるGeSbTe系材料の状態密度を計算した。今後はさらに印加電場によるバンドギャップへの影響を調べる。
N-O添加Sb2Te3を用いた単純な2端子素子を作製し、電気特性を評価した。印加電流値が閾値を超えると、電流値が上がるとともにコンダクタンスも連続的に上昇させることができた。これにより、結合荷重変化機能(学習機能)と情報発信機能(発火機能)を併せ持つ人工知能素子が実証された。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

第一原理計算によりGeTeやSb2Te3などのカルコゲナイドを研究した結果、人工知能素子に適しているSb2Te3をベースとした材料を見出した。
また、それに基づいたカルコゲナイド材料を用いた2端子素子を作製し、結合荷重変化機能(学習機能)と情報発信機能(発火機能)を併せ持つことを実証した。
電場印加によるバンドギャップへの影響について、計算に時間がかかるため、少し遅れているが、人工知能素子に適している材料を用いた素子を早めに作製し、基本的な人工知能素子の機能実証に成功したため、おおむね順調に研究が進展していると判断した。

Strategy for Future Research Activity

今後では、GeTeとSb2Te3の他にGe1Sb4Te7やGe2Sb2Te5などの材料にLi、Al等の金属元素を添加し、バンドギャップはどのように変化するかを調べる。また、電場印加計算を続けて行う予定である。これにより、分極に必要な電場Epとイオン化エネルギーEiとの関係を解明し、より人工知能素子に適する材料を見出す。
また、2端子素子を作製し、結合荷重変化機能(学習機能)と情報発信機能(発火機能)を併せ持つことを実証したが、今後では、多端子素子を作製し、これらの機能を実証する予定である。具体的には以下のように進める。多端子素子構造を有限要素法により設計する。スパッタリング成膜法と電子線描画法により、設計した多端子素子を作製する。TiNの電極層の上にニューロン部分を形成し、シナプス部分を作製する。また、機能検証回路を構築する。パルス発生器によるパルス印加とオシロスコープによる検出はLabVIEW制御により自動的に行う。電圧パルスをシナプスS部分の各端子に印加し、荷重係数に相当するコンダクタンスの変化を評価する。これにより、電気パルス印加により荷重係数が連続的に変化するシナプスの学習機能を確立する。また、電気パルスを各シナプスに同時に印加し、オシロスコープにより出力パルスを検出する。閾値以上になる条件のみに、パルスが出力されるといった発火機能を確立する。以上により、同じ材料で構造連続変化による学習機能及びイオン化による発火機能を全て持たせる革新的多端子ニューロン素子を創製する。

Causes of Carryover

良い研究成果を得たが、新型コロナ感染症の影響で予定した海外の学会に出席できなかった。また、一部のターゲット材料はメーカの都合により購入はできなかった。
次年度では、研究成果をまとめ、研究室の学生に国内外の学会に積極的に出席してもらい、成果を発表する予定である。また、人工知能素子作製に使うターゲット材料を購入する予定である。この研究を促進させるため、研究室の大学院生に協力してもらい、謝金を出す予定である。

  • Research Products

    (7 results)

All 2023 2022

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (6 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Characterization of undoped and N-Ti codoped Zn5Sb3Te chalcogenides2023

    • Author(s)
      Fujiwara Takao、Niiyama Koji、Yin You
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 62 Pages: SG1023~SG1023

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acbda5

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] N-Doped GeTe for Highly Reliable Phase-Change Device2022

    • Author(s)
      S. Yahagi and Y. Yin
    • Organizer
      11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Undoped and Doped Zn5Sb3Te Chalcogenides for Use in Phase-Change Device with High Thermal Stability2022

    • Author(s)
      Y. Yin, T. Fujiwara, K. Niiyama and S. Yahagi
    • Organizer
      11th International Science, Social Sciences, Engineering and Energy Conference (I-SEEC 2022) and 6th International Conference on Technology and Social Science 2022 (ICTSS 2022)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] N-Ti Codoped Zn5Sb3Te1 Chalcogenide for Artificial Synaptic Functional Material2022

    • Author(s)
      T. Fujiwara, K. Niiyama and Y. Yin
    • Organizer
      35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Recent Progress in Phase Change Materials and Devices2022

    • Author(s)
      Y. Yin, K. Niiyama, T. Fujiwara, R. Shirakawa, S. Yahagi and M. Miuchi
    • Organizer
      2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2022)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 熱安定性改善のためのZn5Sb3Te1にNとTiをコドープした新規相変化材料の開発2022

    • Author(s)
      藤原 貴生、尹 友
    • Organizer
      The 18th IEEE Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers (IEEE TOWERS)
  • [Presentation] 人工シナプス素子の高性能化に向けたN-OコドープSb2Te3相変化材料の開発2022

    • Author(s)
      新山 浩司、尹 友
    • Organizer
      2022年春季第69回 応用物理学会学術講演会

URL: 

Published: 2023-12-25  

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