2023 Fiscal Year Annual Research Report
不揮発磁気光学デバイス実現に向けた光導波路を介した高速スピン制御手法の開発
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22K20440
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
村井 俊哉 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (10963936)
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| Project Period (FY) |
2022-08-31 – 2024-03-31
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| Keywords | 磁気光学効果 / 光集積回路 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
研究２年目では、初年度に構築した、導波路を介した逆ファラデー効果による有効磁界の観測を目的とした測定系を利用して、磁気光学ガーネットCe:YIG上に形成したa-Si導波路マイクロリング共振器(MRR)を用いた検証を進めた。
光導波路を介して伝搬光がCe:YIGに与える影響を調べるために, pump-probe法によるによる光出力変化の時間応答を測定した。検証用MRRデバイスにピークパワー10 mW, パルス幅400 psのポンプ光を入力し, 同時にCWプローブ光の出力変化を観測した。その結果、プローブ光の伝搬方向に応じて異なる共振波長特性を示した。この非相反的な応答は、Ce:YIGの磁化の応答によるものと考えられ、ポンプ光に対するデバイスの応答には逆ファラデー効果による磁化の変化を示唆している。
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