2023 Fiscal Year Annual Research Report
電荷移動錯体保護層導入による高発光ペロブスカイト量子ドット創出と多積層型 LED開発
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22K20525
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| Research Institution | Yamagata University |
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Principal Investigator |
江部 日南子 山形大学, 理学部, 助教 (90962762)
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2022-08-31 – 2024-03-31
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| Keywords | ペロブスカイト / 電荷移動錯体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、電荷移動錯体およびハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体の複合膜を一段階溶液法により作製し、新規複合膜の創出を試みた。
電荷移動錯体は、電子ドナー分子および電子アクセプター分子間の電荷移動相互作用により、ドナー・アクセプター有機共結晶を形成し、分子の組み合わせによって特異的な光電特性を発現する。一方、これらの有機共結晶は、分子間の強い凝集力により溶液プロセス用いた薄膜化が困難であり、アプリケーション応用の多くは蒸着膜や単結晶が用いられてきた。本研究では、電荷移動錯体とペロブスカイト結晶の複合化により、一段階スピンコート法による薄膜化技術を開発した。得られた電荷移動錯体-ペロブスカイト複合膜は、豊富な材料界面を有する微細構造の形成に成功した。また電荷移動錯体の導入により、ペロブスカイト発光の明らかな消光と蛍光寿命の短寿命化を示し、材料間相互作用が示唆された。以上より本研究では、電荷移動錯体とペロブスカイト結晶の複合化により、微細構造を有する複合薄膜の開発に成功した。またこれらの微細構造は、材料間相互作用を促進し、新たなエネルギー変換材料への応用が期待される。
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