2015 Fiscal Year Annual Research Report
High functionalization of nonlinear dielectric microscopy and its application to electronic devices
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23226008
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
長 康雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (40179966)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70467455)
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70436161)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡 / グラフェン / 太陽電池 / SiCーMOSFET / オペランド計測． |
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| Outline of Annual Research Achievements |
①新規高性能走査型非線形誘電率顕微鏡法の開発の中で超高次非線形誘電率顕微鏡法という新しい計測法を確立し本超高次非線形誘電率顕微鏡法という学問体系を益々発展させるために，より高感度な計測法の確立を図り，同時に新しい計測データの分析法を開発し，超高次非線形誘電率顕微鏡法を更に厚みのある学問体系として構築した．
②原子分解能SNDMの更なる分解能の向上・適応範囲の拡大の研究項目では，新規に開発した，NC-SNDM法をベースにした原子双極子由来の表面電位の定量計測法（SNDP）と従来のNC-SNDM法並びに①で開発を進めている超高次非線形誘電率顕微鏡法を有機的に組み合わせて原子分解能SNDMの更なる分解能の向上・適応範囲の拡大を図った．またこの新規SNDM装置にトンネル電流及び原子間力も同時に計測するシステムを組み合わせることにより，多角的な評価も行えるようにした．これを用いてグラフェン／SiC界面の可視化を行った．
③半導体計測技術への展開では，超高次非線形誘電率顕微鏡法を駆使して，更に新しい半導体計測技術へ展開した．SiCパワーDMOSFETを実動作させ空乏層等の制御電圧に対する変化の可視化及びSiC中の結晶欠陥の可視化を行った．次に新規デバイスとして，GaNヘムトデバイスの２次元電子ガスの可視化を行った．更に高効率太陽電池の開発への寄与を目的とし，太陽電池のPN接合の可視化に成功した．
④強誘電体記録の研究では，HfO3系の強誘電体薄膜に超高密度な記録が行えることを明らかにした．
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| Research Progress Status |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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