シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発

2014 Fiscal Year Abstract(Research Progress Assessment)

• Project/Area Number: 23226009
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Shizuoka University
• Principal Investigator: Tabe Michiharu 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): SHINADA Takahiro 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (30329099) ; ONO Yukinori 富山大学, 大学院理工学研究科, 教授 (80374073) ; MIZUTA Hiroshi 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458) ; MORARU Daniel 静岡大学, 工学部, 准教授 (60549715)
• Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha): FUJIWARA Satoshi NTT, 物性科学基礎研究所, 上席特別研究員 (70393759)
• Project Period (FY): 2011-04-01 – 2016-03-31