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2013 Fiscal Year Annual Research Report

高品位六方晶窒化ホウ素単結晶の創製と新たな機能発現

Research Project

Project/Area Number 23246116
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

谷口 尚  独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (80354413)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 渡邊 賢司  独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (20343840)
山田 貴壽  独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員 (30306500)
宮川 仁  独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (40552667)
中山 敦子  新潟大学, 学内共同利用施設等, 准教授 (50399383)
川村 史朗  独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (80448092)
大場 史康  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90378795)
Project Period (FY) 2011-04-01 – 2014-03-31
Keywords六方晶窒化ホウ素 / 高圧合成 / 遠紫外線発光 / グラフェンデバイス用基板
Research Abstract

本研究は、高品位六方晶窒化ホウ素(hBN)単結晶の創製と新たな機能発現として、(1)遠紫外線発光特性の高効率化、(2)半導体特性、(3)グラフェン用基板特性の制御を目的としている。これを実現するためには、高品質・大型のhBN単結晶創製と共に、不純物の添加・制御手法を確立することが必要である。そこで、本研究は既存の高純度hBN単結晶の合成技術を更にもう一段進め、更なる高純度化と、より大型の結晶作成のための(1)合成プロセスの高度化、制御された不純物の添加による(2)ドーピング技術の開発、得られた高純度結晶と不純物を添加した結晶の特性評価による新たな(3)機能発現と制御、の3要素により構成される。
H25年度の主たる研究概要を以下に示す。
・高品位単結晶合成と評価 新たに導入した10気圧までの高窒素ガス圧炉により、辺長4mm程度の多結晶hBNを合成した。これまでNi-Mo-Cr合金系溶媒を用いていたが、5万気圧領域で用いていたBa系溶媒も新たに適用し、10気圧領域での溶媒効果を検証した。その結果、粒子径数百μm程度ではあるが、遠紫外線発光挙動を呈する良質hBN単結晶が得られた。遠紫外線発光用hBN蛍光体粒子の作製プロセスとして有望である。
・グラフェン基板材料としての応用の観点では、引き続き各国の連携研究機関に高圧合成で得たhBN単結晶を提供し、hBN-グラフェン積層構造による新規デバイスに加え、MoS2系等の新たな2次元電子系デバイス用基板、絶縁膜としての有用性を検証した。
・新たな試みとして、高圧合成したhBN単結晶を10万気圧、室温~800℃程度で処理することにより無拡散型の転移によるウルツ鉱型BN結晶を合成し、そのバンド端発光特性等を明らかにした。

Current Status of Research Progress
Reason

25年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

25年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (19 results)

All 2014 2013 Other

All Journal Article (10 results) (of which Peer Reviewed: 10 results) Presentation (9 results) (of which Invited: 7 results)

  • [Journal Article] Massive Dirac Fermions and Hofstadter Butterfly in a van der Waals Heterostructure2013

    • Author(s)
      B.Hunt, J.D.Sanchez-Yamagishi, A.F.Young, M.Yankowitz, B.J.LeRoy, K.Watanabe, T.Taniguchi, P.Moon, M.Koshino, P.Jarillo-Herrero, and R.C.Ashoori
    • Journal Title

      Science

      Volume: 340 Pages: 1427-1430

    • DOI

      10.1126/science.1237240

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Dielectric screening of the Kohn anomaly of graphene on hexagonal boron nitride2013

    • Author(s)
      F. Forster, A. Molina-Sanchez, S. Engels, A. Epping, K. Watanabe, T. Taniguchi, L. Wirtz, and C. Stampfer
    • Journal Title

      Phys. Rev. B

      Volume: 88 Pages: 085419

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.88.085419

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electrical Spin Injection into Graphene through Monolayer Hexagonal Boron Nitride2013

    • Author(s)
      T. Yamaguchi, Y. Inoue, S. Masubuchi, S. Morikawa, M. Onuki, K. Watanabe, T. Taniguchi, R. Moriya, and T. Machida
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 6 Pages: 073001

    • DOI

      10.7567/APEX.6.073001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electrically tunable transverse magnetic focusing in graphene2013

    • Author(s)
      T. Taychatanapat, K. Watanabe, T. Taniguchi, and P. Jarillo-Herrero
    • Journal Title

      Nature Physics

      Volume: 9 Pages: 225-229

    • DOI

      10.1038/nphys2549

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Epitaxial growth of single-domain graphene on hexagonal boron nitride2013

    • Author(s)
      W. Yang, G. Chen, Z. Shi, C.-C. Liu, L. Zhang, G. Xie, M. Cheng, D. Wang, R. Yang, D. Shi, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Yao, Y. Zhang, and G. Zhang
    • Journal Title

      Nat. Mater

      Volume: 12 Pages: 792-797

    • DOI

      10.1038/nmat3695

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Etched graphene quantum dots on hexagonal boron nitride,2013

    • Author(s)
      S. Engels, A. Epping, C. Volk, S. Korte, B. Voigtlander, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Trellenkamp, and C. Stampfer
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 103 Pages: 073113

    • DOI

      10.1063/1.4818627

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fabrication and Characterization of High-Mobility Graphene p--n--p Junctions Encapsulated by Hexagonal Boron Nitride2013

    • Author(s)
      S. Masubuchi, S. Morikawa, M. Onuki, K. Iguchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida,
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 52 Pages: 110105

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.110105

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Hofstadter’s butterfly and the fractal quantum Hall effect in moire superlattices2013

    • Author(s)
      C. R. Dean, L. Wang, P. Maher, C. Forsythe, F. Ghahari, Y. Gao, J. Katoch, M. Ishigami, P. Moon, M. Koshino, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. L. Shepard, J. Hone, and P. Kim
    • Journal Title

      Nature

      Volume: 497 Pages: 598-602

    • DOI

      10.1038/nature12186

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Atomic Structure of Luminescent Centers in High-Efficiency Ce-doped w-AlN Single Crystal2013

    • Author(s)
      R. Ishikawa, A. R. Lupini, F. Oba, S. D. Findlay, N. Shibata, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Hayashi, T. Sakai, I. Tanaka, Y. Ikuhara, and S. J. Pennycook
    • Journal Title

      SCIENTIFIC REPORTS

      Volume: 4 Pages: 3778

    • DOI

      10.1038/srep03778

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Functional Complex Point-Defect Structure in a Huge-Size-Mismatch System2013

    • Author(s)
      R.Ishikawa, N.Shibata, F.Oba, T. Taniguchi, S.D.Findlay, I.Tanaka, Y.Ikuhara
    • Journal Title

      Phys. Rev. Lett

      Volume: 110 Pages: 065504-1

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.110.065504

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] グラフェン/h-BNからの電界電子放出特性2014

    • Author(s)
      山田貴壽、増澤智昭、胡谷大志、岡野健、谷口尚
    • Organizer
      第11回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • Place of Presentation
      大阪大学
    • Year and Date
      20140305-20140306
    • Invited
  • [Presentation] Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth process2013

    • Author(s)
      T.Taniguchi and K.Watanabe
    • Organizer
      5th International Conf on Recent Progress in Graphene Res
    • Place of Presentation
      東京工業大学
    • Year and Date
      20130909-20130913
    • Invited
  • [Presentation] Optical Properties of Boron Nitride Single Crystals2013

    • Author(s)
      K.Watanabe and T.Taniguchi
    • Organizer
      CLEO-PR 2013
    • Place of Presentation
      Kyoto international conferene center
    • Year and Date
      20130630-20130704
    • Invited
  • [Presentation] Synthesis of hBN single crystals at high pressure and ambient pressure, and their properties2013

    • Author(s)
      T.Taniguchi
    • Organizer
      17th International Symposium on Intercalation Compounds
    • Place of Presentation
      Sendai International Center
    • Year and Date
      20130512-20130516
  • [Presentation] Pressure-induced structural-change in hBN coexisting with hydrogen gas at room temperature2013

    • Author(s)
      Atsuko Nakayama, Shotaro Taguchi, Shohei Mitsuya, Takashi Taniguchi, Satoshi Nakano, Ayako Ohmura, Fumihiro Ishikawa, Yuh Yamada
    • Organizer
      17th International Symposium on Intercalation Compounds
    • Place of Presentation
      Sendai International Center
    • Year and Date
      20130512-20130516
  • [Presentation] 高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開

    • Author(s)
      渡邊賢司  谷口 尚
    • Organizer
      第15回応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会新領域研究会
    • Place of Presentation
      KDX 名古屋駅前ビル名城大学名駅サテライト
    • Invited
  • [Presentation] Band alignment of zinc-blende and chalcopyrite semiconductors: Effects of misfit dislocations

    • Author(s)
      F. Oba
    • Organizer
      APS March Meeting 2014
    • Place of Presentation
      Denver. USA
    • Invited
  • [Presentation] Point defects in oxide and nitride semiconductors: Understanding and prediction toward material screening

    • Author(s)
      F.Oba
    • Organizer
      MRS Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Boston USA
    • Invited
  • [Presentation] 六方晶窒化ホウ素の単結晶高圧合成と光機能

    • Author(s)
      谷口 尚
    • Organizer
      日本表面科学会 第79回表面科学研究会
    • Place of Presentation
      東京工業大学すずかけ台大学会館
    • Invited

URL: 

Published: 2015-05-28  

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