2011 Fiscal Year Annual Research Report
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23246125
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
須賀 唯知 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (40175401)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
島津 武仁 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (50206182)
日暮 英治 東京大学, 先端科学技術研究センター, 准教授 (60372405)
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| Keywords | 接合 / 実装 / 集積化 / 常温接合 / 表面活性化 |
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| Research Abstract |
提案するフ〓ロセスのシーケンシャルの組み合わせに対し、対象材料を変化させ、大気中接合の可能性を検討した。
1)Si、カ〓ラスを対象とした水フ〓ラス〓マ接合、およひ〓ナノ密着層接合を検証し、その有効性を確認した。
2)上記に対するフッ素添加フ〓ラス〓マ接合の検証を行い、その有効性を確認した。
3))Fe, Al、Cu、Siをナノ密着層(原子拡散接合)としてSiウエハの接合を行い,真空中ならびに超高純度Arガス中(0.1～1気圧)室温で接合が可能であった。
4)GaN異種材料集積光デバイスを実現するために、常温オーミックコンタクト層(Cr/Au)を用いた低温接合技術を開発した。n-GaN表面をアルゴン高速原子ビームで前処理することにより、常温Cr/Auオーミックコンタクト層をn-GaN上に形成し、大気中、150℃でAu-Au表面活性化接合を行うことで、オーミック電極を有するGaNをSi基板上に集積することが可能となった。また、Au-Au表面化接合技術の気密封止プロセス(大気圧雰囲気)への適用可能性を調査した。300MPa、150℃の接合条件では、MIL-STD-883の基準値以下のリークレートが可能であることを示した。ガラス基板、Siキャビティ基板を積層した低温気密封止パッケージングを提案した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
当初の実験を行い、おおむね順調に進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
本研究で提案した手法が、Siやガラスのみならず、高分子フィルムの接合にも適用可能であることが明らかとなってきた。産業界へのインパクトが大きいと期待されるため、高分子フィルムへの適用を研究課題に含めることとする。
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