2013 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
23350091
|
Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
夛田 博一 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (40216974)
|
Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2014-03-31
|
Keywords | 有機スピントロニクス / 磁気抵抗効果 |
Research Abstract |
炭素や酸素など軽元素で構成される有機材料や炭素化合物では、スピン軌道相互作用が小さいため、スピン拡散長が長いことが期待され、スピントロニクスへの応用が期待されている。本研究では、プラスチック基板上に強磁性金属を数百 nm の間隔で作製し、有機単結晶を固定して、面内磁場の強度に応じた非局所抵抗値の変化を観察した。電極間距離に応じた抵抗値の変化を定量的に解析することで、結晶のスピン拡散長およびスピン緩和時間をそれぞれ1.1 μm および 3 ns 程度であること算出した。 また、室温で動作するスピントロニクス素子の作製をめざし、キュリー温度の高いホイスラー合金(Co2MnSi)のエピタキシャル膜を作製し、表面磁気光学カー効果を用いた表面磁気特性を調べた。パルスレーザー堆積法を用いてMgO(001)基板上に成膜したCo2MnSi薄膜はX線回折、反射電子回折によりL21構造であることを確認した。成膜時の基板温度を350℃から500℃まで変化させ、それぞれの薄膜の超電導量子干渉素子を用いたバルク全体の磁気特性と、表面磁気光学カー効果を用いた表面磁気特性を比較することにり、最適な作製条件を確認した。
|
Current Status of Research Progress |
Reason
25年度が最終年度であるため、記入しない。
|
Strategy for Future Research Activity |
25年度が最終年度であるため、記入しない。
|