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2012 Fiscal Year Annual Research Report

エネルギー粒子可変ビームによるプラズマプロセス表面反応機構の解明とモデリング

Research Project

Project/Area Number 23360040
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

久保田 智広  東北大学, 流体科学研究所, 准教授 (70322683)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 寒川 誠二  東北大学, 流体科学研究所, 教授 (30323108)
Project Period (FY) 2011-04-01 – 2014-03-31
Keywords中性粒子ビーム / イオンシース / エッチング形状予測 / 第一原理計算 / オンウェハモニタリング / ワイヤレス測定 / 紫外光照射損傷 / 欠陥生成
Research Abstract

中性粒子ビームを用いて得られたエッチング結果をもとに、エッチング形状シミュレーションの検討を行った。中性粒子ビームエッチングにおける表面反応について、入射粒子の角度及びエネルギー分布・エッチング構造内での軌道などを計算で求めるとともにエッチングや堆積などの表面反応のレートを推定し、最終的に中性粒子ビームエッチングにおけるエッチング形状が求められるシステムとした。
プラズマ-表面反応によるイオン中性化メカニズムについて更に詳しく調べた。昨年度に開発した第一原理計算手法を更に発展させ、励起状態や空準位の影響を考慮できるようにした。
プラズマ-表面反応におけるイオンシースの影響について、昨年度に開発したシース形状センサから得られる計測値を用いて、任意の3次元形状周辺におけるイオンシース電界をシミュレーションすることでイオン軌道を求め、エッチング形状を予測する手法を開発した。別途エッチング実験を行った結果と比較し、エッチング形状を正しく予測できることを確認した。
さらに、より多様な実験データ取得のため、多様なプラズマ装置やプラズマ条件におけるオンウェハモニタリング計測を可能とするため、ワイヤレス測定システムの開発を行った。電池駆動可能な測定回路を開発するとともに、センサ測定における基準電位などの問題を解決し、ワイヤレスでの測定が可能であることを実証した。
プラズマエッチングにおける材料の機械的特性への影響について調べるために、カンチレバーの振動特性のプラズマ照射依存性を調べた。紫外光照射による欠陥生成により、フォノンが散乱されると考えれる結果が得られた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

プラズマ表面相互作用の理解のために不可欠なプラズマ計測手法については、ワイヤレス測定などの開発を行い、適用範囲を広げ多様なデータ取得を可能とする目処が立った。表面反応モデリングについては、理論計算による検討については、イオンとグラファイト表面の電子授受のメカニズムについて励起状態や空準位を含めた検討を深めるなど順調に進められている。さらに、最終的な目標であるエッチング形状予測についても、イオン軌道予測に基づくエッチング形状予測ができるようになりつつあり、最終目標達成に向けて順調に進んでいると言える。

Strategy for Future Research Activity

オンウェハモニタリングを用いたプラズマ・表面計測とエッチングシミュレーションとを結びつけ、表面反応の理解と計測に基づく予測システムを打ち立てる。

  • Research Products

    (7 results)

All 2013 Other

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (5 results)

  • [Journal Article] Energy-loss Mechanism of Single-crystal Silicon Microcantilever due to Surface Defects Generated during Plasma Processing2013

    • Author(s)
      和田章良
    • Journal Title

      Journal of Micromechanics and Microengineering

      Volume: 掲載確定 Pages: 掲載確定

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Highly Selective Silicon Nitride Etching to Si and SiO2 for Gate Sidewall Spacer Using CF3I/O2/H2 Neutral Beam2013

    • Author(s)
      中山大樹
    • Journal Title

      Journal of Physics D: Applied Physics

      Volume: 掲載確定 Pages: 掲載確定

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Feature Profile Evolution in Plasma Processing Using Wireless On-Wafer Monitoring System

    • Author(s)
      寒川誠二
    • Organizer
      Ninth International Conference on Flow Dynamics
    • Place of Presentation
      仙台
  • [Presentation] 3-Dimensional and Defect-free Etching by Neutral Beam for MEMS Applications

    • Author(s)
      久保田智広
    • Organizer
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      京都
  • [Presentation] 中性粒子ビームによるシリコンエッチング(6)

    • Author(s)
      久保田智広
    • Organizer
      第73回 応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      松山
  • [Presentation] オンウェハモニタリングによるプラズマプロセスダメージ・形状予測

    • Author(s)
      久保田智広
    • Organizer
      第60回 応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木
  • [Presentation] 中性粒子ビームによるシリコンエッチング(7)

    • Author(s)
      久保田智広
    • Organizer
      第60回 応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      厚木

URL: 

Published: 2014-07-24  

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