2013 Fiscal Year Annual Research Report
マイクロ波アシストによるスイッチング原理および超高密度記録への応用
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23360131
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
岡本 聡 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (10292278)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
島津 武仁 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 教授 (50206182)
北上 修 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (70250834)
菊池 伸明 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (80436170)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| Keywords | 磁気記録 / ナノドット / 磁気共鳴 |
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| Research Abstract |
本研究ではマイクロ波アシスト磁化反転の原理実証を目的としており，３年目にあたる本年度の検討課題として(１) マイクロ波アシストによるナノドットのスイッチング制御，(２) 低スピン緩和材料の開発，の３項目を挙げている．
まず，項目（１）に対しては，Co/Pt垂直磁化ナノドットのドット径を50ナノメートルから330ナノメールまで変化させて実験を行った．ドット上に絶縁層を介して2ミクロン幅Cu線路にrf電流を印加することによりrf磁場を発生させた．rf磁場強度はドットの異方性磁場に対して数%程度の大きさである．その結果，マイクロ波アシスト効果がドット径に対して大きく依存することを明らかにし，特にドット径が100ナノメートルを超える領域においてマイクロ波アシスト効果が著しく大きく増大することを示した．この結果はドット内部で誘起されると予想されるスピン波の分散関係に非常に良く対応することが分かり，高次モードのスピン波励起がマイクロ波アシスト効果の増大に寄与していることが明らかになった．本結果は，励起モードとマイクロ波アシスト効果の相間を示すものであり，今後の制御法開発につながる成果である．
次に項目（２）に対しては，Co/Pt多層膜のスピン緩和がCo/Pt層厚比に比例することを実験的に明らかにした．これはスピンのバルク拡散によってスピン緩和が生じていることを示す結果であり，Co/Pt多層膜における界面効果である磁気異方性とは直接の相間は見られず，Co/Pt層厚比を最適化することにより高磁気異方性を保ちつつ低スピン緩和を実現できることを明らかにした．
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| Current Status of Research Progress |
Reason
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(18 results)
