2012 Fiscal Year Annual Research Report
絶縁膜上における歪み単結晶Ｇｅの高品位形成と超高速トランジスタへの応用
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23360138
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
佐道 泰造 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 准教授 (20274491)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
宮尾 正信 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, その他 (60315132)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| Keywords | 集積回路 / 結晶成長 / トランジスタ / 半導体 / 溶融成長 |
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| Research Abstract |
本研究では、超高速トランジスタをLSIに混載する基盤技術の創成を目指し、絶縁膜上の指定された位置に単結晶Geを高品位形成して高キャリヤ移動度を発現することを目的とする。本年度は３年計画の第２年度として、①絶縁膜上のGe結晶薄膜(Ge on Insulator: GOI)への不純物ドーピングと②GOIの歪み制御の検討を行った。
①絶縁膜上の単結晶Ge(Ge on Insulator: GOI)への不純物ドーピング
溶融成長プロセスで形成したGOIには、転位などのマクロな拡張欠陥は存在しないものの、空孔などが複合化した点欠陥が存在する。Ge中の空孔複合欠陥は浅いアクセプタ準位を形成する為、GOIはp型伝導を示す。CMOS応用に必要となるn型GOIの形成の為、V族元素のイオン注入法によるGOIの伝導度制御を検討し、その有効性を明らかにした。
②GOIの歪み制御
半導体薄膜における歪み評価法を検討した。顕微ラマン散乱分光法と電子顕微鏡法を重畳する手法を開発し、溶融成長プロセスで形成したGOIにおける歪み導入の機構を明らかにした。また、GOIの形状が歪み量に与える影響の検討を開始した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
綿密な実験計画を立てて研究を推進しているので、おおむね順調に進展している。
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| Strategy for Future Research Activity |
現在までほぼ計画通りに進行しているので、特に研究計画の変更は考えていない。
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