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2013 Fiscal Year Annual Research Report

パワーデバイス実用化に向けたダイヤモンド接合界面安定化に関する基礎研究

Research Project

Project/Area Number 23360143
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

寺地 徳之  独立行政法人物質・材料研究機構, 物質・材料研究機構・光・電子材料ユニット, 主任研究員 (50332747)

Project Period (FY) 2011-04-01 – 2014-03-31
Keywords電子・電気材料 / 低消費電力 / ダイヤモンド / ダイオード
Research Abstract

ダイヤモンドショットキーダイオード(SBD)に関して、H23年度は、カーバイド金属に特徴的な漏れ電流機構の発生機構の解明とその熱的耐性を、H24年度は、先に得られた知見を実用的な縦型素子構造に反映させることで、SBD特性の改善を行った。H25年度は、縦型ダイヤモンドSBDの特性評価を詳細に行い、カーバイド金属である炭化タングステン(WC)をSBD電極に用いる場合に、熱的安定性を向上させるための作製プロセスが必要である事を見出し、動作温度上限を見出した。
(1)「縦型ダイヤモンドSBDの耐圧特性」縦型WCダイヤモンドSBDを作製し、高温での電流-電圧測定を行い、界面の熱的安定性を調べた。横型構造では高温時の電気的特性がシリーズ抵抗成分に大きく影響を受け、適切なフィッティングを行う事が出来なかった。一方で、縦型構造では、800Kにおいてもシリーズ抵抗のデータフィッティングへの影響は小さく、各温度での特性評価が可能となった。各熱処理温度での電流-電圧測定を系統的に行った結果、600Kでの熱処理後にダイオード特性の理想因子が最小(理想性が高い)となった。これは、WC蒸着時に自然に起こる界面反応が不完全な状態で停止していたものを、600Kでの熱処理により積極的に界面反応を起こし、結果的に均一化できた事によると考えられる。一方で、650K以上では理想因子が増大(理想性が低下)した。
(2)「ダイヤモンド厚膜結晶成長」H24年度の結果を基に、導電性薄膜上へ低密度プラズマを用いて基板表面にダイヤモンド極薄膜をパッシベーション膜として合成した。これにより、導電性薄膜のエッチングを効果的に抑制し、疑縦型SBDの作製に成功した。この素子の特性評価を行ったところ、順方向電流は横型SBDよりも向上したが、漏れ電流が大きくなった。CL像での評価から、高濃度極薄膜層の挿入による、新たな欠陥形成が示唆された。

Current Status of Research Progress
Reason

25年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

25年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (19 results)

All 2014 2013

All Journal Article (9 results) (of which Peer Reviewed: 8 results) Presentation (10 results) (of which Invited: 4 results)

  • [Journal Article] Perfect alignment and preferential orientation of nitrogen-vacancy centers during chemical vapor deposition diamond growth on (111) surfaces2014

    • Author(s)
      J. Michl, T. Teraji, S. Zaiser, I. Jakobi, G. Waldherr, F. Dolde, P. Neumann, M. W. Doherty, N. B. Manson, J. Isoya, J. Wrachtrup
    • Journal Title

      App. Phys. Lett

      Volume: 104 Pages: 102407

    • DOI

      10.1063/1.4868128

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Schottky barrier height and thermal stability of p-diamond (100) Schottky interfaces2014

    • Author(s)
      T. Teraji, Y. Koide, and T. Ito
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 557 Pages: 241

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.11.132

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Isotopic enrichment of diamond by microwave plasma chemical vapor deposition with high carbon conversion efficiency2014

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 557 Pages: 231

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2014.01.018

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improved depth resolution of secondary ion mass spectrometry profiles in diamond: A quantitative analysis of the delta-doping2014

    • Author(s)
      A Fiori, F Jomard, T Teraji, G Chicot, E Bustarret
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 557 Pages: 222-226

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.10.076

  • [Journal Article] Strongly coupled diamond spin qubits by molecular nitrogen implantation2013

    • Author(s)
      T. Yamamoto, T. Umeda, K. Watanabe, S. Onoda, M. L. Markham, D. J. Twitchen, B. Naydenov, L. P. McGuinness, T. Teraji, S. Koizumi, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, T. Ohshima, F. Jelezko, and J. Isoya
    • Journal Title

      Phys. Rev. B

      Volume: 88 Pages: 201201

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.88.201201

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Detecting and Polarizing Nuclear Spins with Double Resonance on a Single Electron Spin2013

    • Author(s)
      P. London, J. Scheuer, J.-M. Cai, I. Schwarz, A. Retzker, M. B. Plenio, M. Katagiri, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, R. Fischer, L. P. McGuinness, B. Naydenov, and F. Jelezko
    • Journal Title

      Phys. Rev. Lett

      Volume: 111 Pages: 067601

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.111.067601

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effective use of source gas for diamond growth with isotopic enrichment2013

    • Author(s)
      T. Teraji, T. Taniguchi, S. Koizumi, Y. Koide, and J. Isoya
    • Journal Title

      Appl. Phys. Exp

      Volume: 6 Pages: 055601

    • DOI

      10.7567/APEX.6.055601

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Synchronized B and 13C Diamond Delta Structures for an Ultimate In-depth Chemical Characterization2013

    • Author(s)
      A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, E. Gheeraert, and E. Bustarret
    • Journal Title

      Appl. Phys. Exp

      Volume: 6 Pages: 045801

    • DOI

      10.7567/APEX.6.045801

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Experimental Implementation of Assisted Quantum Adiabatic Passage in a Single Spin2013

    • Author(s)
      J. Zhang, J. H. Shim, I. Niemeyer, T. Taniguchi, T. Teraji, H. Abe, S. Onoda, T. Yamamoto, T. Ohshima, J. Isoya, and D. Suter
    • Journal Title

      Phys. Rev. Lett.

      Volume: 110 Pages: 240501 1-5

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.110.240501

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] WC/p-diamond Schottky Diode Behaviour at High Temperature2014

    • Author(s)
      A. Fiori, T. Teraji, Y. Koide
    • Organizer
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学,相模原市
    • Year and Date
      20140317-20140320
  • [Presentation] 炭化タングステン/p型ダイヤモンドショットキー界面の熱的安定性2013

    • Author(s)
      A. Fiori, T. Teraji, Y. Koide
    • Organizer
      第27回ダイヤモンドシンポジウム
    • Place of Presentation
      日本工業大学,南埼玉郡
    • Year and Date
      20131120-20131122
  • [Presentation] Models and parameters study for diamond electronic devices simulations2013

    • Author(s)
      A. Marechal, N. Rouger, J.-C. Crebier, J. Pernot, S. Koizumi, T. Teraji and E. Gheeraert
    • Organizer
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Doshisya Univ., Kyoto
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] Reverse current transport at diamond Schottky barrier interfaces2013

    • Author(s)
      T. Teraji, A. Fiori, Y. Koide,
    • Organizer
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Doshisya Univ., Kyoto
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] “Homogeneity of WC p-type diamond Schottky interfaces”2013

    • Author(s)
      A. Fiori, T. Teraji, Y. Koide
    • Organizer
      第74回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学,京都市
    • Year and Date
      20130916-20130920
  • [Presentation] Inhomogeneous Schottky barrier height at metal/diamond interfaces2013

    • Author(s)
      T. Teraji, A. Fiori, Y. Koide
    • Organizer
      International Conference on Diamond, and Carbon Materials 2013
    • Place of Presentation
      Riva del Garda, Itary
    • Year and Date
      20130902-20130905
  • [Presentation] ダイヤモンド高耐圧ダイオードの現状と課題2013

    • Author(s)
      寺地徳之
    • Organizer
      ニューダイヤモンドフォーラム平成25年度第1回研究会
    • Place of Presentation
      東京大学,目黒
    • Year and Date
      20130627-20130627
    • Invited
  • [Presentation] Diamond Schottky Barrier Diodes: Current Transport Mechanisms and Thermal Stability2013

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      1st French-Japanese workshop on diamond power devices
    • Place of Presentation
      Chamonix, France
    • Year and Date
      20130619-20130621
    • Invited
  • [Presentation] p-Type Diamond Schottky Interfaces - Current Transport Mechanisms and Thermal Stability2013

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces
    • Place of Presentation
      Fukuoka
    • Year and Date
      20130605-20130607
    • Invited
  • [Presentation] Homoepitaxial Growth of High-Quality Diamond Films and Their Semiconducting Properties2013

    • Author(s)
      T. Teraji
    • Organizer
      Workshop on Strategic Japanese-Croatian Cooperative Program 2013
    • Place of Presentation
      Todaiji Culture Center, Nara
    • Year and Date
      2013-11-14
    • Invited

URL: 

Published: 2015-05-28  

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