2013 Fiscal Year Annual Research Report
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23360145
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
山田 博仁 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60443991)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大寺 康夫 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20292295)
北 智洋 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (40466537)
田主 裕一朗 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 (90397985)
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| Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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| Keywords | 光デバイス / 光回路 |
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| Research Abstract |
Si細線/石英系混成光導波路技術をリング共振器型波長可変フィルターに適用し、半導体光増幅器(SOA)と組み合わせた波長可変レーザを実現した。得られた波長可変レーザの特性を測定したところ、波長可変幅60nm以上、光出力40mW以上、副モード抑圧日(SMSR)40dB以上、スペクトル線幅100kHz以下が得られ、デジタルコヒーレント光通信用として十分適用可能であることが分かった。
リング共振器型波長可変フィルターを形成したSOI基板上に、SOAチップをフリップチップ実装する方法でも上記波長可変レーザを実現し、実装精度に未だ課題は残るものの、波長可変レーザとしての動作が得られることが実証された。
また、前年度までの理論検討によって得られた知見に基づいて、基板に垂直方向への光結合を可能にするグレーティングカプラ型の光入出力インターフェースを設計し、試作を行った。その結果、40％以上の結合効率と、70nm以上の動作波長帯域が得られ、光入出力インターフェースとしての良好な特性が得られた。
さらに、ArF液浸リソグラフィーにより、φ300mmの大面積SOIウエハ上に作製した各種Si細線導波路デバイスの特性を評価し、ArF液浸リソプロセスの均一性について評価した。その結果、ArF液浸リソグラフィーによるSi細線導波路デバイスの作製工程は、滑れた均一性とプロセス再現性を有していることが明らかとなった。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Presentation] Uniform Characteristics of Si-wire Waveguide Devices Fabricated on 300 mm SOI Wafers by Using ArF Immersion Lithography2013
Author(s)
Y. Tanushi, T. Kita, M. Toyama, M. Seki, K. Koshino, N. Yokoyama, M. Ohtsuka, A. Sugiyama, E. Ishitsuka, T. Sano, T. Horikawa, and H. Yamada
Organizer
International Conference on Group IV Photonics
Place of Presentation
Seoul, Korea
Year and Date
20130829-20130829
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