2011 Fiscal Year Annual Research Report
外力印加による均質合金半導体結晶の作製と固液界面不安定性制御に関する基礎的研究
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23360343
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
岡野 泰則 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高木 洋平 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (40435772)
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
水口 尚 琉球大学, 工学部, 助教 (70432200)
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Keywords | 結晶成長 / 数値解析 / 外力印加 / 界面 |
Research Abstract |
シリコン-ゲルマニウム(Si/Ge)合金半導体バルク単結晶に代表される、成分間の密度差が大きい半導体混合融液から、均質で高品質な合金を作製するための方法法を確立するために、磁場、電場、回転といった外力が融液内の混合状態はもとより、作製された結晶の均質性や、結晶育成界面の安定性にどのような影響を及ぼすかを理論的、実験的に検討した。本年度の主な成果は以下のようである。 1.バルク結晶成長数値解析の高速化 既に申請者らが有している自作の数値解析コードを実際の実験と操作条件等を一致させるために既存の解析コードを並列化し高速化を行った。 2.バルク結晶成長数値解析 上記で高速化したプログラムを用い、電場、磁場、回転を組み合わせた解析を開始した。特に界面形状が平坦となり、また異常成長の原因である低融点部分の発生が無い条件を探索した。また無次元数の組み合わせと対流モードとの関連を示すマップを提案した。今年度は特に計算領域を融液と結晶部に限定したが、今後結晶領域までを考慮したグローバル計算に拡張する。 3.バルク結晶作製実験 実際の結晶成長時の固液界面形状をX線透過実験で直接観察した。同時に,育成した結晶を切断、研磨、エッチングを施し、光学顕微鏡で観察した。これらの結果を数値計算結果と比較し数値計算結果の健全性について確認した。現在上記1の結果と組み合わせ、より実用的な大きさの結晶成長を模擬しうる計算を遂行中である。また海外共同研究者であるカナダ、Victoria大学、Dost教授が8テスラの磁場下で作製した結晶に関しても数値解析結果と比較している。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
研究代表者と分担者、海外共同研究者との連絡が密にできており、実際に顔を合わせての打ち合わせも頻繁に行える状況にあるため、相互の成果の突合せも順調で、概ね当初の予定通りに目的達成に向かっている。
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Strategy for Future Research Activity |
現在、研究は当初の予定通り順調に進行しており、今後の計画の変更は不要である。むしろ当初予定通りに研究を行うことが、今後の研究推進に重要である。
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[Journal Article] Effects of solutal convection on the dissolution of GaSb into InSb melt and solute transport mechanism in InGaSb solution : Numerical simulations and in-situ observation experiments2011
Author(s)
G.Rajesh, M.Arivanandhan, N.Suzuki, A.Tanaka, H.Morii, T.Aoki, T.Koyama, Y.Momose, T.Ozawa, Y.Inatomi, Y.Takagi, Y.Okano, Y.Hayakawa
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Journal Title
J.Crystal Growth
Volume: 324
Pages: 157-162
DOI
Peer Reviewed
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[Presentation] Growth of homogeneous Si_<1-x>Ge_x and Mg_2Si<1-x>Ge_x for thermoelectric application2012
Author(s)
Hayakawa, M. Arivanandhan, M.Omprakash, T.Koyama, Y.Momose, H.Ikeda, A.Tanaka, H.Tatsuoka, A.Ishida, Y.Okano, Y.Inatomi, D.K.Aswal, S.Bhattacharya, D.Thangaraju, S.Moorthy Babu
Organizer
Int.Conf.Recent Trend in Adv.Materials
Place of Presentation
Vellore, India(招待講演)
Year and Date
20120220-20120222
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[Presentation] X線透過法によるGe融液中へのSi溶解過程のその場観察2012
Author(s)
Omprakash Muthusamy, Arivanandhan Mukannan, 森井久史, 青木徹, 小山忠信, 百瀬与志美, 田中昭, 池田浩也, 立岡浩一, 岡野泰則, 小澤哲夫, 稲富裕光, Sridharan Moorthy Babu, 早川泰弘
Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京都)
Year and Date
2012-03-17
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[Presentation] 混晶半導体バルク結晶の溶質輸送に対する重力効果(30分)2012
Author(s)
早川泰弘, Arivanandhan Mukannan, Rajesh Govindasamy, 小山忠信, 百瀬与志美, 森井久史, 青木徹, 田中昭, 岡野泰則, 高木洋平, 小澤哲夫, 阪田薫穂, 稲富裕光
Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京都)
Year and Date
2012-03-15
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[Presentation] Current state of alloy semiconductor crystal growth project under microgravity2011
Author(s)
Y.Inatomi, K.Sakata, Y.Hayakawa, A.Tanaka, T.Ozawa, Y.Okano, T.Ishikawa, M.Takayanagi, S.Yoda, Y.Yoshimura
Organizer
The 28th Int.Symp.Space Tech.Sci.(28th ISTS)
Place of Presentation
Okinawa, Japan
Year and Date
20110605-20110612
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[Presentation] X線その場観察実験と数値解析によるIn-Ga-Sb溶液中の溶質輸送機構の研究2011
Author(s)
Rajesh Govindasamy, Arivanandhan Mukannan, 鈴木那津輝, 森井久史, 青木徹, 小山忠信, 百瀬与志美, 田中昭, 高木洋平, 岡野泰則, 小澤哲夫, 稲富裕光, 早川泰弘
Organizer
第72回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
山形大学(山形県)
Year and Date
2011-09-01
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