2012 Fiscal Year Annual Research Report
外力印加による均質合金半導体結晶の作製と固液界面不安定性制御に関する基礎的研究
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23360343
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
岡野 泰則 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
高木 洋平 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (40435772)
水口 尚 琉球大学, 工学部, 助教 (70432200)
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Project Period (FY) |
2011-04-01 – 2014-03-31
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Keywords | 結晶成長 / 数値解析 / 外力印加 / 界面 |
Research Abstract |
本年度の研究項目は、基本的には前年度の項目と同一である。ただし、前年度の結果を踏まえ、より高度な内容に発展させた。 数値解析の高速化・高精度化に関しては、下の項目に記すように、解析領域を格段に広げた。その際予想される計算負荷の多大なる増大を低減させるために前年度の並列化を推し進めるだけではなく、マルチ・グリッド法を導入し高速化し、ALE法を導入し高精度化を実現した。 バルク結晶成長数値解析に関しては、前年度開発した融液-結晶領域を解析するプログラムを実装置全体を対象としたシステム全体を計算しうるグローバルモデルへと拡張することを試みた。本プログラムを用いて前年同様、磁場、回転を複数組み合わせた解析を行い、これらの外力と流動構造、濃度分布との影響の普遍化を試みた。 バルク結晶作製実験に関してはインジウム・ガリウム・アンチモン合金とシリコン・ゲルマニウム合金の両方を温度勾配法を用いて決勝を作製した。前者では下部の種結晶が上部に比べ多く溶解したが、後者では逆の結果となった。この原因を上記で開発した数値計算ソフトを用いて解析したところ後者は物性値の濃度依存性が強く、それが融液内の自然対流強度に多大な影響を及ぼしていることが原因であることが分かった。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
研究代表者と分担者、海外共同研究者との連絡が密にできており、実際に顔を合わせての打ち合わせも頻繁に行える状況にあるため、相互の成果の突合せも順調で、概ね当初の予定通りに目的達成に向かっている。
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Strategy for Future Research Activity |
現在、研究は当初の予定通り順調に進行しており、今後の計画の変更は不要である。むしろ当初予定通りに研究を行うことが、今後の研究推進に重要である。
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