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2011 Fiscal Year Research-status Report

強相関電子物性が制御可能な光キャリア注入法の確立

Research Project

Project/Area Number 23540410
Research InstitutionOkayama University

Principal Investigator

村岡 祐治  岡山大学, 自然科学研究科, 准教授 (10323635)

Project Period (FY) 2011-04-28 – 2014-03-31
Keywords光キャリア注入 / VO2 / 薄膜 / 放射光
Research Abstract

酸化物絶縁体間の界面で起こる新規な光キャリア注入現象について、研究を行った。我々はTiO2基板上に作製したVO2薄膜に放射光を照射すると、その絶縁体相が金属化することを見出した。H23年度の研究では、VO2薄膜へ放射光照射した際に生じる変化を光電子分光測定により調べた。VO2薄膜はパルスレーザー堆積法によりTiO2(101)基板上に作製した。作製した薄膜は原子間力顕微鏡で表面が平滑であること、X線回折測定よりエピタキシャル成長していることを確認した。電気抵抗測定より評価した金属絶縁体転移温度は310 Kであった。放射光照射と光電子分光測定は広島大学放射光科学研究センターBL5で行った。VO2絶縁体相への放射光照射効果を調べたところ、光照射時間とともにフェルミ準位上の状態が増加する様子を観測した。この変化は光照射をやめても元に戻らず、不可逆な変化であった。価電子帯スペクトルの変化を解析することにより、光照射によりV3d電子数が増加していることがわかった。光照射によりV元素に電子が注入されていることを示している。このような変化は金属相でも同様に観測された。放射光照射効果は絶縁体相や金属相金属相によらずおこる現象であることがわかった。光照射後の電気抵抗測定より、照射後は転移温度が低下していることがわかった。光電子分光の結果とよい対応を示した。抵抗測定は比較的バルクの情報を反映することを考えると、光照射による変化は、比較的膜全体に及んでいると考えられる。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

放射光照射により一体何が生じているのかを、現象論として明らかにすることがH23年度の主目的であった。これに対して、光照射による変化が不可逆であること、光によりV3dに電子が注入されていること、絶縁体相や金属相によらず変化が生じること、変化は比較的膜全体に及んでいること、など、光照射現象の概要を明らかにする情報が得られた。変化の機構解明を思慮することにつながる成果である。

Strategy for Future Research Activity

H23年度の研究成果をもとに、VO2薄膜の放射光照射効果の機構解明を目指す。一つの可能性として、光照射時に薄膜からの酸素脱離が考えられる。H24年度はこの可能性の検証に力を入れる。そのために、光照射効果に伴うVO2薄膜の酸素の電子状態の変化を光電子分光により調べる。特に酸素の内殻準位の測定に力を入れる。一方、光誘起金属相の同定も重要な課題である。温度誘起の金属相と同じなのか違うのか、検証したい。これについては、光照射前後の試料について、XRD測定を行うことで明らかにできる。また、キャリアがどの程度注入されているのか、定量的な評価も輸送特性を調べることで明らかにする。

Expenditure Plans for the Next FY Research Funding

H24年度の研究費は、主に実験に関する消耗品、出張旅費に充てる。薄膜作製に必要なレーザーのガスや基板、また、放射光光電子分光実験をするSPring-8, HiSOR, PF施設への出張旅費に使用することを予定している。また、物理学会や応用物理学会、国際学会への参加経費としても使用する予定である。

  • Research Products

    (13 results)

All 2012 2011

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (10 results)

  • [Journal Article] Effectiveness of a hot-filament chemical vapor deposition method for preparation of a boron-doped superconducting diamond film with higher superconducting transition temperature2012

    • Author(s)
      T. Doi, T. Fukaishi, C. Hiramatsu, T. Wakita, M. Hirai, Y. Muraoka, T. Yokoya, Y. Kato, Y. Izumi, T. Muro, Y. Tamenori
    • Journal Title

      Diam. Relat. Mater.

      Volume: 25 Pages: 5-7

    • DOI

      10.1016

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Spectroscopic evidence of the formation of (V,Ti)O2 solid solution in VO2 thinner films grown on TiO2(001) substrates2011

    • Author(s)
      Y. Muraoka, K. Saeki, R. Eguchi, T. Wakita, M. Hirai, T. Yokoya, and S. Shin
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 109 Pages: 043702/1-6

    • DOI

      10.1063

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Synthesis and physical properties of the hollandite-type titanium oxide KxTi8O162011

    • Author(s)
      Y. Muraoka, K. Noami, T. Wakita, M. Hirai, T. Yokoya, Y. Kato, T. Muro, and Y. Tamenori
    • Journal Title

      Phys.Status Solidi C

      Volume: 8 Pages: 555-557

    • DOI

      10.1002

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 閉鎖系化学気相法により作製したCrO2薄膜の表面特性2012

    • Author(s)
      村岡祐治,吉田祥,脇田高徳,平井正明,横谷尚睦
    • Organizer
      日本物理学会 第67回年次大会
    • Place of Presentation
      関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス
    • Year and Date
      2012年3月27日
  • [Presentation] Metallic surface of the CrO2 thin films prepared using a closed chemical vapor desposition method2012

    • Author(s)
      Y. Muraoka, S. Yoshida, M. Hirai, T. Wakita and T. Yokoya
    • Organizer
      The 16th Hiroshima International Symposium on Synchrotron Radiation
    • Place of Presentation
      Hiroshima Unversity
    • Year and Date
      2012年3月1日
  • [Presentation] CrO2薄膜の表面特性2012

    • Author(s)
      村岡祐治, 吉田祥, 脇田高徳, 平井正明, 横谷尚睦
    • Organizer
      2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学 早稲田キャンパス
    • Year and Date
      2012年3月17日
  • [Presentation] 光照射によるVO2薄膜への電子キャリア注入2012

    • Author(s)
      村岡祐治, 長尾浩樹, 大山卓郎, 脇田高徳, 平井正明, 横谷尚睦
    • Organizer
      2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学 早稲田キャンパス
    • Year and Date
      2012年3月17日
  • [Presentation] 放射光照射によるVO2薄膜への電子キャリア注入2011

    • Author(s)
      村岡祐治、長尾浩樹、脇田高徳、平井正明、横谷尚睦、室隆桂之、為則雄祐
    • Organizer
      日本物理学会 2011年秋季大会
    • Place of Presentation
      富山大学五福キャンパス
    • Year and Date
      2011年9月21日
  • [Presentation] Preparation of NbO2 thin films using a pulsed laser deposition method2011

    • Author(s)
      Y. Muraoka, Y. Fujimoto, C. Hiramatsu, T. Wakita, M. Hirai, T. Yokoya
    • Organizer
      2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学小白川キャンパス
    • Year and Date
      2011年8月31日
  • [Presentation] 低キャリア濃度で高Tcを示すホウ素ドープ超伝導ダイヤダイヤモンド膜の作製2011

    • Author(s)
      村岡祐治、土居智彰、平松千明、脇田高徳、平井正明、横谷尚睦、室隆桂之、泉雄大、為則雄祐
    • Organizer
      2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学小白川キャンパス
    • Year and Date
      2011年8月30日
  • [Presentation] VO2薄膜における放射光照射効果2011

    • Author(s)
      村岡祐治、片山晋輔、長尾浩樹、脇田高徳、平井正明、横谷尚睦、室隆桂之、泉雄大、為則雄祐
    • Organizer
      応用物理学会中国四国支部、日本物理学会中国支部、四国支部、2011年度支部学術講演会
    • Place of Presentation
      鳥取大学鳥取キャンパス
    • Year and Date
      2011年7月30 日
  • [Presentation] ホットフィラメントCVD法により作製したホウ素ドープダイヤモンド膜の超伝導特性2011

    • Author(s)
      村岡祐治、土居智彰、平松千明、脇田高徳、平井正明、横谷尚睦、室隆桂之、泉雄大、為則雄祐
    • Organizer
      応用物理学会中国四国支部、日本物理学会中国支部、四国支部、2011年度支部学術講演会
    • Place of Presentation
      鳥取大学鳥取キャンパス
    • Year and Date
      2011年7月30 日
  • [Presentation] Surface physical property of the CrO2 thin films prepared using a closed chemical vapor deposition method2011

    • Author(s)
      Y. Muraoka, S. Yoshida, T. Wakita, M. Hirai, and T. Yokoya
    • Organizer
      2011 Fall Meeting of the Materials Research Society
    • Place of Presentation
      Hynes Convention Center, Boston, U.S.A.
    • Year and Date
      2011年11月28日

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Published: 2013-07-10  

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