2013 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
23540460
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
新井 正男 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 主幹研究員 (40222723)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
初貝 安弘 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 教授 (80218495)
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Keywords | 電子構造 |
Research Abstract |
一様磁場中での電子構造に関する研究を進めてきた。タイトバインディング近似の範囲で、一様磁場中の電子構造を計算するプログラムの改良を進めた。特に、共有メモリおよびMPIを用いた分散メモリ型の並列化プログラムいよる高速化を行ない、量子化されたホール伝導度を高速に計算することが可能となった。 また、ワニエ関数を出発点として軌道磁化の表式を導出した。得られた表式はこれまでの結果と一致するが、今回の導出の利点は熱力学ポテンシャルの磁場による微分によって軌道磁化を導出することができたことにある。ワニエ関数を出発点としていることによる制限はあるが、半古典近似等を用いる必要がなくなった。 これらの成果を元にして、磁場破壊を示す模型に関して研究を行なった。また、2次元電子系のモデル物質を探索するために、遷移金属炭窒化物(MAX相)から実験的に合成されたMXeneの類似物質の電子構造を第一原理計算により研究した。
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