2013 Fiscal Year Annual Research Report
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23550205
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
小林 健吉郎 静岡大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20153603)
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| Keywords | 非晶質InGaZnO4 / p型 |
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| Research Abstract |
非晶質InGaZnO4のｐｎ制御を行い、LEDの構成要素として導入し、その特性を評価した。p型InGaZnO4薄膜はAl,N同時ドーピング法を用い、Ar雰囲気下でスパッタリング法によって作製した。最初にIn-Zn-O / n-型InGaZnO4 / Q-ZnO / n型InGaZnO4 / In-Zn-Oからなる多層構造デバイスを作製し、その電気的特性を測定した。その結果、量子ドット薄膜Q-ZnOのうえに非晶質InGAZnO4を堆積させると、表面の平滑性や緻密性が向上し、上下のIn-Zn-O電極間の物理的接触が抑制されることが分かった。これにより、非晶質InGaZnO4薄膜は多層構造デバイス作製に大変有効であることが分かった。次に、In-Zn-O / n-型InGaZnO4 / Q-ZnO /ｐ型InGaZnO4 / Auからなる多層構造デバイスを作製した。ここで、Q-ZnOは量子ドットZnO薄膜で、酢酸亜鉛とH2Oとの化学気相堆積法によって基板温度125℃で作製した。このデバイスは明確な整流特性を示したが、5V以上の順バイアスを印加しても電界発光は観測されなかった。この原因として、p型InGaZnO4のホールの移動度が低いこと、p型InGaZnO4の価電子帯のトップの位置が量子ドットZnOに比べて浅い可能性が考えられた。量子ドットZnOの価電子帯エネルギー位置を浅くするために量子ドットの粒子径を大きめにする必要があることが分かった。
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