2013 Fiscal Year Annual Research Report
新材料・新量子構造を用いた高性能中赤外デバイスの研究
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23560012
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
河村 裕一 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80275289)
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| Keywords | ＭＢＥ / 量子井戸 / アンチモン / 窒素 / 中赤外デバイス |
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| Research Abstract |
H25年度は以下の３点に関する成果を得た。
（１）InAsSbN単一量子井戸レーザ：ＭＢＥ法により厚さ３ｎｍの単一量子井戸を成長温度４５０℃で作製し、室温でのＥＬピーク波長として2.54μｍを実現することが出来た。またアニール処理した試料において２２０Ｋで波長2.36μｍのレーザパルス動作を実現することが出来た。特製温度は６６Ｋであった。
（２）InGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオード：ＭＢＥ法によりInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードを成長温度４８０℃で作製し、室温でのＥＬ発光波長として2.86μｍを実現することが出来た。これは窒素１％の導入で約100meVのエネルギーシフトが得られることを示しており、これまでのInGaAsNで得られた結果と良い整合性があることが明らかとなった。
（３）InP基板上のInAs/GaSbタイプII量子井戸構造：ＭＢＥ法によりInP基板上にGaSbバッファ層を積層することにより、高品質のInAs/GaSbタイプII量子井戸が作製可能であることがわかった。結晶表面にはクラックうは観測されなかった。またInAs/GaSbタイプII量子井戸はＸ線回折においてするどい回折ピークを示し、ＰＬ発光波長として６μｍを得ることが出来た。ＰＬ発光強度はGaSb基板上のものと同等以上であり、高品質の結晶が得られていることが明らかとなった。
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