• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2013 Fiscal Year Annual Research Report

結晶シリコンソーラーセルの水蒸気熱処理による特性改善機構の解明

Research Project

Project/Area Number 23560360
Research InstitutionTokyo University of Agriculture and Technology

Principal Investigator

蓮見 真彦  東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60261153)

Keywords太陽電池 / シリコン / 少数キャリアライフタイム / マイクロ波吸収測定
Research Abstract

前年度までの研究計画に則り構築した最大8インチのシリコン基板全体の実効少数キャリアライフタイムτeffを測定し得るマイクロ波吸収測定システムを用いて、シリコン基板表面のパッシベーション効果を精密評価した。光キャリアの励起には635nmと980nmの半導体レーザ光源を用いた。多波長光源を利用してτeffを測定することにより、励起光波長による光侵入長の違いを利用して試料内の光キャリアの発生場所に違いを生じさせ、シリコン中欠陥の量と分布の解析を可能とした。多波長光照射時のマイクロ波吸収データから得られたτeffを解析して、バルクライフタイム及び表面再結合速度の算定が可能になった。
本手法を用いて、これまで酸素ラジカル照射と水蒸気熱処理を組み合わせた極薄膜、水蒸気熱処理を施したSiO蒸着膜などのシリコン表面パッシベーション効果について評価した。さらに、最終年度はシリコン基板に注入した不純物のマイクロ波加熱による活性化について評価した。イオン注入直後のシリコン基板のτeffは635nm光照射時1.4μs、980nm光照射時13μsとなり、両者に差が生じた。これは980nm光照射時に基板奥深くで発生したキャリアがシリコン表面に拡散して消滅することを示している。即ちシリコン結晶バルクは欠陥が少なく良質であり、表面に高密度の再結合欠陥が局在することがわかる。一方、熱処理後のτeffは100μsに増加し、且つ635nmと980nmの照射光波長に依らなかった。この結果はシリコン表面の再結合欠陥がマイクロ波加熱により回復したことを示している。
これらの結果は、マイクロ波吸収測定がシリコン表面のパッシベーション状態の精密評価のみならず、pn接合の評価にも有用であることを示している。本研究により得られた成果はJpn. J. Appl. Phys誌など原著論文7件にまとめ、国際会議発表11件を行った。

  • Research Products

    (14 results)

All 2014 2013 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (11 results)

  • [Journal Article] Activation of silicon implanted with phosphorus and boron atoms by microwave annealing with carbon powder as a heat source2014

    • Author(s)
      Masahiko Hasumi, Tomohiko Nakamura, Shinya Yoshidomi, and Toshiyuki Sameshima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 53 Pages: 05FV05-1-6

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.05FV05

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Multi junction solar cells using band-gap induced cascaded light absorption2014

    • Author(s)
      Toshiyuki Sameshima, Hitomi Nomura, Shinya Yoshidomi, and Masahiko Hasumi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 53 Pages: 05FV07-1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.05FV07

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Photo induced minority carrier annihilation at crystalline silicon surface in metal oxide semiconductor structure2014

    • Author(s)
      Toshiyuki Sameshima, Jun Furukawa, Tomohiko Nakamura, Satoshi Shigeno, Tomohito Node, Shinya Yoshidomi, and Masahiko Hasumi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 53 Pages: 031301-1-6

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.031301

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating2013

    • Author(s)
      T. Sameshima, T. Nakamura, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Ishii, Y. Inouchi, M. Naito and T. Mizuno
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      Hilton Fukuoka Sea Hawk
    • Year and Date
      2013-09-26
  • [Presentation] Oxygen Radical Treatment used for Fabricating Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cells

    • Author(s)
      滋野聖,吉冨真也,蓮見真彦,鮫島俊之
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [Presentation] Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films by Microwave Heating

    • Author(s)
      中村友彦,吉冨真也,蓮見真彦,鮫島俊之
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [Presentation] 酸素プラズマ処理によるシリコン表面パッシベーション

    • Author(s)
      野手智仁,吉冨真也,古川潤,阿部博史,蓮見真彦,鮫島俊之
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス
  • [Presentation] Silicon Surface oxidation and Passivation by Remote Induction-Coupled Oxygen Plasma

    • Author(s)
      鮫島俊之,蓮見真彦,吉冨真也,中村友彦,滋野聖
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
  • [Presentation] Activation of Silicon Implanted with Dopant Atoms by Microwave Heating

    • Author(s)
      中村友彦,滋野聖,吉冨真也,蓮見真彦,石井寿子,鮫島俊之,井内裕,内藤勝男,水野智久
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      同志社大学京田辺キャンパス
  • [Presentation] Multi-Connected Solar Cells Using Band-Gap Induced Cascaded Light Absorption

    • Author(s)
      TOSHIYUKI SAMESHIMA, SHINYA YOSHIDOMI and MASAHIKO HASUMI
    • Organizer
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Doshisha University, Kyoto
  • [Presentation] Microwave Annealing of Phosphorus Implanted p-type Silicon

    • Author(s)
      Masahiko Hasumi, Shinya Yoshidomi and Toshiyuki Sameshima
    • Organizer
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • Place of Presentation
      Doshisha University, Kyoto
  • [Presentation] Passivation of silicon surface by laser rapid heating

    • Author(s)
      Toshiyuki Sameshima, Hiroshi Abe, Masahiko Hasumi, Tomohisa Mizuno, Naoki Sano
    • Organizer
      LPM2013
    • Place of Presentation
      Toki Messe, Niigata
  • [Presentation] Activation of Silicon Implanted with Phosphorus Atoms by Microwave Heating

    • Author(s)
      S. Yoshidomi, C. Akiyama, J.Furukawa, M. Hsumi, T. Ishii, T. Sameshima, Y. Inouchi, M. Naito
    • Organizer
      THE TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • Place of Presentation
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
  • [Presentation] Minority Carrier Annihilation at Crystalline SiliconSurface in MOS Structure

    • Author(s)
      J. Furukawa, S. Yoshidomi, M. Hasumi, T. Sameshima
    • Organizer
      THE TWENTIETH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES
    • Place of Presentation
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto

URL: 

Published: 2015-05-28  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi